武田さくら

Takeda Sakura Nishino

所属機関・部署：
職名：助教
ホームページURL (1件)： https://sites.google.com/site/sntprojects/

研究分野 (2件)：薄膜、表面界面物性 , 半導体、光物性、原子物理

研究キーワード (10件)：非線形現象 , 量子化電子状態 , 電子格子相互作用 , 反転層 , ARPES , RHEED , 電子物性 , 表面・界面 , カソードルミネッセンス , Raman

競争的資金等の研究課題 (8件)：

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論文 (39件)：

MISC (2件)：

橋村詩織, 武田さくら, 大門寛. Si(111)-Li表面の新しい相図と初期吸着構造. 表面科学学術講演会要旨集. 2011. 31. 0. 50-50
武田さくら, 松田和久, 島和也, 安井伸太郎, 酒井智香子, 桑子敦, 大門寛. Si(111)上へのNa,Mg吸着初期過程のリアルタイムモニタリング. 日本物理学会講演概要集. 2008. 63. 2

講演・口頭発表等 (193件)：

発光分光で求めた300°C〜500°CにおけるSiの加熱電流と温度の関係
(日本物理学会 2023年春季大会 2023)
実測サブバンド準位を満たすイオン打ち込みSi(001)p型反転層形状の探索的決定
(日本物理学会 2023年春季大会 2023)
Si(111) p型空間電荷層のバンド湾曲形状の価電子量子化による平坦化
(応用物理学会 2023年春季学術講演会 2023)
シリコン表面直下領域の価電子状態:実測と理解、デバイス応用
(物質科学&デバイス物理研究会 2023)
実測サブバンド準位を満たすイオン打ち込みSi(001)p型反転層形状の探索的決定
(「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」 (第28回研究会) EDIT28)

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

経歴 (1件)：

委員歴 (12件)：

2018 - 現在応用物理学会代議員
2018 - 現在応用物理学会薄膜表面分科会幹事
2017 - 現在 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) program committee
2008 - 現在電子デバイス界面テクノロジー研究会(旧ゲートスタック研究会) プログラム・実行委員
2016 - 2018 International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) Publicity Committee

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受賞 (2件)：

所属学会 (5件)：

米国電気電子学会 (IEEE) , 日本放射光学会 , 日本表面真空学会 , 応用物理学会 , 日本物理学会

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武田 さくら