研究者
J-GLOBAL ID:201301074692078670   更新日: 2024年09月14日

松村 亮

マツムラ リョウ | Matsumura Ryo
所属機関・部署:
職名: 主任研究員
研究分野 (1件): 電気電子材料工学
研究キーワード (3件): 結晶成長 ,  電子デバイス ,  半導体
競争的資金等の研究課題 (8件):
  • 2023 - 2026 光電融合LSIへ向けた絶縁膜上におけるGe系光学材料の結晶成長と光電デバイス応用
  • 2021 - 2025 Si-Ge系ヘテロ接合ナノワイヤによる縦型ナノワイヤHEMTデバイスの開発
  • 2020 - 2023 GeSn/Ge縦型ヘテロ接合ナノワイヤの実現と次世代トランジスタへの応用
  • 2021 - 2022 レーザーアニールを用いたGeSn結晶薄膜の非熱平衡成長とトランジスタ応用
  • 2020 - 2021 GeSn ナノワイヤトランジスタによる次世代多機能LSI 基盤技術の創製
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論文 (61件):
  • Rahmat Hadi Saputro, Tatsuro Maeda, Kaoru Toko, Ryo MATSUMURA, Naoki Fukata. High Doping Activation (≥1020 cm-3) in Tensile-Strained n-Ge Alloys Achieved by High-Speed Continuous-Wave Laser Annealing. ACS Applied Electronic Materials. 2024
  • Rahmat Hadi Saputro, Tatsuro Maeda, Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Highly strained and heavily doped germanium thin films by non-equilibrium high-speed CW laser annealing for optoelectronic applications. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023
  • Qinqiang ZHANG, Ryo MATSUMURA, Naoki Fukata. Synthesis of Large-Area GeS Thin Films with the Assistance of Pre-deposited Amorphous Nanostructured GeS Films: Implications for Electronic and Optoelectronic Applications. ACS Applied Nano Materials. 2023
  • Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Direct Detection of Free H2Outgassing in Blisters Formed in Al2O3Atomic Layers Deposited on Si and Methods of Its Prevention. ACS Applied Materials and Interfaces. 2022. 14. 1. 1472-1477
  • Ryo Matsumura, Naoki Fukata. Formation of Free Hydrogen Gas By Annealing ALD-Al2O3/Si Stacked Structure. ECS Transactions. 2022. 108. 5. 57-61
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MISC (4件):
講演・口頭発表等 (11件):
  • Analysis and control of Si segregation phenomena to achieve uniform-SiGe crystals on insulator by rapid-melting growth
    (2015 International Electron Devices and Materials Symposium, IEDMS 2015 2015)
  • Segregation-Controlled Rapid-Melting Growth for Sige-on-Insulator with Uniform Lateral Composition
    (24th International Materials Research Congress, IMRC2015 2015)
  • Low Temperature (<200oC) position controlled Solid Phase Crystallization of GeSn combined with Laser Anneal Seeding
    (ICSI 9 2015)
  • Low-Temperature Crystallization of a-GeSn on Insulating Films for Next-Generation Flexible Electronics(1) Characteristics of Solid Phase Crystallization
    (2014 International Electron Devices and Materials Symposium, IEDMS 2014 2014)
  • Segregation-Controlled Rapid-Melting Growth for Large-Grain and Uniform -Composition SiGe on Insulator” (JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
    (JSPS-imec 2014 2014)
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学歴 (3件):
  • 2013 - 2016 九州大学 大学院システム情報科学府 電気電子工学専攻 博士課程
  • 2011 - 2013 九州大学 大学院システム情報科学府 電気電子工学専攻 修士課程
  • 2006 - 2011 九州大学 工学部 電気情報工学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (九州大学)
経歴 (5件):
  • 2023/04 - 現在 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ナノアーキテクトニクス材料研究センター 主任研究員
  • 2017/04 - 2023/03 物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 研究員
  • 2016/04 - 2017/03 日本学術振興会 特別研究員SPD
  • 2014/04 - 2016/03 日本学術振興会 特別研究員DC2
  • 2013/04 - 2014/03 九州電気専門学校 非常勤講師
委員歴 (5件):
  • 2023/04 - 現在 SSDM Area10 Vice Chair
  • 2020/04 - 現在 電子デバイス界面テクノロジー研究会 運営委員
  • 2022/01 - 2022/12 SSDM Area10 論文委員
  • 2022/01 - 2022/12 IUMRS/ICYRAM2022実行委員
  • 2017/04 - 2022/03 TIA次世代エレクトロニクス研究アライアンス TIA-EXA/運営委員
受賞 (5件):
  • 2024/01 - IUMRS Silver Award, MRM/IUMRS2023
  • 2016/03 - 九州大学 学生表彰
  • 2016 - International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) Young Researcher Award
  • 2015/12 - 2015 International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS2015) Best Paper Award
  • 2013 - 第5回半導体デバイスフォーラム 講演奨励賞
所属学会 (1件):
応用物理学会
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