研究者
J-GLOBAL ID：201501013037750191   更新日: 2024年06月20日

岡本 大

オカモト ダイ | Dai Okamoto
所属機関・部署：
富山県立大学 工学部 電気電子工学科

富山県立大学 工学部 電気電子工学科 について


職名： 准教授
ホームページURL (1件)： https://tpu-power.jp/
研究分野 (3件)： 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (7件)： 半導体工学 ,  デバイスプロセス ,  半導体物理 ,  絶縁膜技術 ,  MOS界面 ,  パワーデバイス ,  デバイス物理
競争的資金等の研究課題 (7件)：
  • 2023 - 2026 フッ素添加熱酸化法による高移動度・高信頼性SiC MOSFETの開発
  • 2020 - 2023 SiCパワーデバイスの高信頼化に向けたNBTI現象の理解と抑制指針の提示
  • 2021 - 2022 SiCパワーデバイスの高性能化を目指したフッ素添加熱酸化法の開発とトランジスタ応用
  • 2016 - 2020 低損失p型SiC超接合パワーMOSFETの基盤技術開発
  • 2017 - 2020 新規前駆体熱酸化手法によるSiC絶縁膜界面制御技術の開発とトランジスタ応用
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論文 (39件)：
  • Mitsuru Sometani, Yusuke Nishiya, Ren Kondo, Rei Inohana, Hongyu Zeng, Hirohisa Hirai, Dai Okamoto, Yu-ichiro Matsushita, Takahide Umeda. Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface. APL Materials. 2023
  • Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada. Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs. Journal of Applied Physics. 2022. 131. 14. 145701-145701
  • Hiroki Sakata, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Hirohisa Hirai, Shinsuke Harada, Tetsuo Hatakeyama, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro. Accurate Determination of Threshold Voltage Shift during Negative Gate Bias Stress in 4H-SiC MOSFETs by Fast On-the-fly Method. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 6. 060901-060901
  • Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Ukyo Sakurai, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Satoshi Yamasaki, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro, et al. Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method. Carbon. 2020. 168. 659-664
  • Hiroki Nemoto, Dai Okamoto, Xufang Zhang, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano. Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. 4. 044003
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MISC (8件)：
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書籍 (1件)：
  • Compound Semiconductor
    Angel Business Communications publication 2017
講演・口頭発表等 (93件)：
  • nチャネルSiC MOSFETのSplit CV特性のTCADによる検討
    (令和5年度(2023年) 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 2023)
  • pチャネルSiC MOSFETにおけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価
    (令和5年度(2023年) 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 2023)
  • SiC MOSFETのSplit CV特性を説明する等価回路モデルの検討
    (令和5年度(2023年) 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 2023)
  • pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性のチャネル長依存性シミュレーション
    (令和5年度(2023年) 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 2023)
  • SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減
    (令和5年度(2023年) 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 2023)
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学位 (2件)：
  • 修士(工学) (奈良先端科学技術大学院大学)
  • 博士(工学) (奈良先端科学技術大学院大学)
経歴 (5件)：
  • 2021/08 - 現在 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 客員研究員
  • 2021/04 - 現在 富山県立大学 工学部 電気電子工学科 准教授
  • 2015/07 - 2021/03 筑波大学 数理物質系 物理工学域 助教
  • 2011/04 - 2015/06 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 研究員(テニュアトラック型)
  • 2009/04 - 2011/03 日本学術振興会 特別研究員(DC2)
委員歴 (17件)：
  • 2024 - 現在 応用物理学会 春季・秋季学術講演会 プログラム編集委員
  • 2025 - 第30回電子デバイス界面テクノロジー研究会 実行・プログラム委員
  • 2024 - 第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会 実行・プログラム委員
  • 2023 - 令和5年度(2023年) 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 現地実行委員
  • 2023 - 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (IWDTF 2023) 実行委員
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受賞 (7件)：
  • 2020/12 - 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 研究奨励賞(指導学生)
  • 2019/12 - 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 研究奨励賞(指導学生)
  • 2010/05 - IEEE IMFEDK Best Paper Award
  • 2010/02 - IEEE Kansai Section Student Paper Award
  • 2009/12 - 応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 研究奨励賞
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所属学会 (2件)：
IEEE (Electron Devices Society) ,  応用物理学会 (薄膜・表面物理分科会,先進パワー半導体分科会)
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