研究者
J-GLOBAL ID:201701003771834299   更新日: 2024年09月20日

西澤 伸一

ニシザワ シンイチ | Shin'ichi Nishizawa
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (3件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  応用物理一般
競争的資金等の研究課題 (13件):
  • 2021 - 2024 新世代パワー半導体の開発/大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発
  • 2020 - 2023 New SiC bulk growth reactor design
  • 2018 - 2020 速度論的表面エネルギーを考慮したSiC多形制御結晶成長プロセス
  • 2020 - 応用力学研究所研究資金
  • 2016 - 2019 マルチレベルフィジックスによる超高予測精度結晶成長シミュレータの実現
全件表示
論文 (223件):
  • Zaiqi Lou, Thatree Mamee, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, Shin-ichi Nishizawa, Wataru Saito. Mechanism of gate voltage spike under digital gate control at IGBT switching operations. Power Electronic Devices and Components. 2024. 7. 100054-100054
  • Thatree Mamee, Zaiqi Lou, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Shin-Ichi Nishizawa, Wataru Saito. Estimating of IGBT Bond Wire Lift-Off Trend Using Convolutional Neural Network (CNN). IEEE Access. 2024. 12. 96936-96945
  • Taro Takamori, Keiji Wada, Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa. Paralleled SiC MOSFETs Circuit Breaker With a SiC MPS Diode for Avalanche Voltage Clamping. IEEE Open Journal of Power Electronics. 2024. 5. 392-401
  • Taro Takamori, Keiji Wada, Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa. Reliability investigation of repeated unclamped inductive switching in a diode-clamped SiC circuit breaker. Microelectronics Reliability. 2023. 150. 115119-115119
  • Thatree Mamee, Zaiqi Lou, Katsuhiro Hata, Makoto Takamiya, Shin-ichi Nishizawa, Wataru Saito. Bond wire lift-off detection by gate voltage waveform in IGBT turn-off process enhanced by digital gate control. Power Electronic Devices and Components. 2023. 6. 100052-100052
もっと見る
MISC (32件):
書籍 (2件):
  • エネルギーの未来 脱・炭素エネルギーに向けて
    中央経済社 2019
  • SiC素子の基礎と応用
    西澤 伸一、加藤智久、木藤泰男、小柳直樹、廣瀬富佐雄、山口博隆、大谷昇 2003
講演・口頭発表等 (107件):
  • Investigations on Acceptable Breakdown Voltage Variation of Parallel-Connected SiC MOSFETs Applied in Solid-State Circuit Breakers
    (ESREF 2021 : 32th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, 2021 2021)
  • Avalanche Current Balancing Using Parallel Connection of SiC-JFETs with Cascode Connection
    (2021)
  • Power Loss Reduction of Low-Voltage Power MOSFET by Combination of Assist Gate Structure and Gate Control Technology
    (2021)
  • Accurate TCAD Simulation of Trench-Gate IGBTs and Its Application to Prediction of Carrier Lifetime Requirements for Future Scaled Devices
    (2021)
  • 新世代Si-IGBTを支えるウェハ・プロセス技術
    (2021)
もっと見る
委員歴 (7件):
  • 2021/04 - 2023/03 九州大学 留学生センター委員
  • 2021/04 - 2023/03 九州大学 X線取扱い主任者
  • 2019/04 - 2023/03 応用物理学会先進パワーデバイス分科会 幹事
  • 2019/06 - 2020/03 一般社団法人NPERC-J 理事
  • 2018/04 - 2019/03 九州大学 自然エネルギー統合利用センター長
全件表示
受賞 (4件):
  • 2021/02 - 電気学会 電気学会優秀論文発表賞 (電気学会産業応用部門)
  • 2021/01 - 電子情報通信学会九州支部学生講演会 講演奨励賞
  • 2019/11 - 電気学会 電気学会優秀論文発表賞 (電気学会産業応用部門)
  • 2019/03 - 応用物理学会 第66回応用物理学会春季学術講演会講演奨励賞
所属学会 (5件):
化学工学会 ,  応用物理学会 ,  IEEE(PELS) ,  日本結晶成長学会 ,  IEEE(ED)
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る