- 2021 - 2024 新世代パワー半導体の開発/大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発
- 2020 - 2023 New SiC bulk growth reactor design
- 2018 - 2020 速度論的表面エネルギーを考慮したSiC多形制御結晶成長プロセス
- 2020 - 応用力学研究所研究資金
- 2016 - 2019 マルチレベルフィジックスによる超高予測精度結晶成長シミュレータの実現
- 2017 - 2019 低ネガワットコストウェハの研究
- 2017 - 2019 SiC半導体の遮断器応用技術に関する研究
- 2019 - 2019 電力エネルギー有効利用のための新世代パワーデバイスの提案 (英国・シェフィールド大学 EKKANATH MADATHIL Sankara Narayanan教授)
- 2017 - 2019 低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト/研究開発項目1(10) 新世代Siパワーデバイス技術開発/新世代Si-IGBTと応用基本技術の研究開発
- 2016 - 2018 パワーエレクトロニクス回路の信頼性向上に資するキャパシタ評価技術の確立
- 2017 - 2017 チョクラルスキー法を用いた高品質・大口径Si-IGBT用ウェハ技術の開発
- 2012 - 2016 超高密度パワーSOC(Supply on Chip)用集積回路基板の研究
- 2012 - 2015 省エネ用半導体の実現に向けたマクロ・ナノ統合結晶成長法の構築
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