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J-GLOBAL ID：202002276563286433   整理番号：20A0131748

トレンチゲート型si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション

Three-dimensional accurate TCAD simulation of trench-gate Si-IGBTs

著者 (21件)： 渡辺正裕 (東京工大) ,  執行直之 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  古川和由 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  佐藤克己 (三菱電機) ,  末代知子 (東芝デバイス&ストレージ) ,  更屋拓哉 (東大 生産技研) ,  高倉俊彦 (東大 生産技研) ,  伊藤一夫 (東大 生産技研) ,  福井宗利 (東大 生産技研) ,  鈴木慎一 (東大 生産技研) ,  竹内潔 (東大 生産技研) ,  宗田伊里也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (九大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  平本俊郎 (東大 生産技研) ,  大橋弘通 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119  号： 273(SDM2019 68-79)  ページ： 45-48  発行年： 2019年10月31日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の3次元TCADシミュレーションを行い,飽和電流(1000A/cm²)領域に至る数桁の電流範囲で,電流電圧静特性の実験結果と良好に一致することを示した.併せて,2次元シミュレーション結果との対比から,オン電流付近から飽和電流にかけての正確な解析には,トレンチゲート近傍の3次元的な電流フローを考慮したシミュレーションが重要になることを示した.(著者抄録)

シソーラス用語： *IGBT ,  ケイ素 ,  トレンチカット【加工】 ,  ゲート【半導体】 ,  *CAD【計算機】 ,  シミュレータ ,  *計算機シミュレーション ,  三次元 ,  パワーエレクトロニクス ,  スケーリング【計数】 ,  *計算機利用 ,  *利用

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (11件)：

• M. Tanaka and I. Omura, ′′Scaling rule for very shallow trench IGBT toward CMOS process compatibility,′′ Proc. ISPSD 2016, pp.177-179.
• K. Kakushima et al., ′′Experimental verification of a 3D scaling principle for low Vce(sat) IGBT,′′ Tech. Dig. IEDM 2016, pp. 10.6.1-10.6.4.
• T. Hoshii et al., ′′Verification of the injection enhancement effect in IGBTs by measuring the electron and hole currents separately,′′ Proc. ESSDERC 2018, pp.26-29.
• T. Saraya et al., ′′Demonstration of 1200V scaled IGBTs driven by 5V gate voltage with superiorly low switching loss,′′, Tech. Dig. IEDM 2018, pp. 8.4.1-8.4.4.
• P. Luo et al., ′′Numerical analysis of 3-dimensional scaling rules on a 1.2-kV trench clustered IGBT,′′ IEEE Tran. Electron Devices, vol. 65, no. 4, pp.1440-1446, 2018

タイトルに関連する用語 (6件)： トレンチゲート ,  Si ,  IGBT ,  3次元 ,  TCAD ,  シミュレーション