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J-GLOBAL ID：201801002542020203   更新日: 2024年09月25日

上野 耕平

ウエノ コウヘイ | UENO KOHEI
クリップ
所属機関・部署：
東京大学生産技術研究所

東京大学生産技術研究所 について


研究分野 (3件)： 結晶工学 ,  電気電子材料工学 ,  無機材料、物性
研究キーワード (9件)： パワーデバイス ,  HEMT ,  LED ,  AlN ,  窒化物半導体 ,  結晶成長 ,  GaN ,  スパッタリング ,  PLD
競争的資金等の研究課題 (4件)：
  • 2023 - 2026 非平衡プラズマ結晶成長技術による超高耐圧窒化アルミニウム系半導体電子素子の創製
  • 2022 - 2023 泉科学技術振興財団2022年度研究助成
  • 2022 - 2023 池谷科学技術振興財団 2022年度研究助成
  • 2019 - 2022 窒化アルミニウム系超高耐圧半導体素子作製のための基盤技術開発
論文 (76件)：
  • Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno. Characteristics of group III-nitride films prepared by pulsed sputtering. Gallium Nitride Materials and Devices XIX. 2024
  • Yoshihiro Ishitani, Bojin Lin, Hnin Lai Lai Aye, Daiki Yoshikawa, Hideto Miyake, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka. Longitudinal optical (LO) and LO-like phonon resonant mid-infrared radiation emission and absorption by surface micro-structures on III-nitrides. Gallium Nitride Materials and Devices XIX. 2024
  • Ryota Maeda, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Temperature-Dependent Characteristics of AlN/Al0.5Ga0.5N High Electron Mobility Transistors with Highly Degenerate n-Type GaN Regrown Ohmic Contacts. physica status solidi (a). 2024
  • Aiko Naito, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Hole Conduction Mechanism in In-Mg-Codoped GaN Prepared via Pulsed Sputtering Deposition. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2024
  • Ryota Maeda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka. Pulsed sputtering selective epitaxial formation of highly degenerate n-type GaN ohmic contacts for GaN HEMT applications. Applied Physics Express. 2024. 17. 1. 011006-011006
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MISC (12件)：
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特許 (5件)：
講演・口頭発表等 (86件)：
  • n++-GaN-uid-GaNマイクロストライプ構造からのLO様フォノン共鳴放射における光反射層導入効果
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • PSD法を用いて赤色LED構造をGB-LED下地層上に成長した GaInN系RGBモノリシックμLEDアレイの作製
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • パルススパッタ堆積法によるグラフェン/4H-SiC基板上の窒化物薄膜成長
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • スパッタ法による高Al組成AlGaNへの高濃度Geドーピング
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • スパッタ法によるAl共添加高濃度n型GaN薄膜の作製と評価
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
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学歴 (4件)：
  • 2008 - 2010 東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻 博士課程
  • 2006 - 2008 東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻 修士課程
  • 2004 - 2006 東京大学工学部応用化学科
  • 2002 - 2004 東京大学教養学部理科I類
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (5件)：
  • 2017/12 - 現在 東京大学生産技術研究所 助教
  • 2014/04 - 2017/12 東京大学生産技術研究所 特任助教
  • 2011/04 - 2014/03 日本学術振興会 特別研究員(PD)
  • 2010/10 - 2011/03 日本学術振興会 特別研究員(PD)
  • 2009/04 - 2010/09 日本学術振興会 特別研究員(DC2)
受賞 (5件)：
  • 2018/11 - 日本結晶成長学会 第47回結晶成長国内会議講演奨励賞 PSD法による高電子移動度n型GaN薄膜成長
  • 2016/08 - 日本結晶成長学会 第23回技術賞 非晶質基板上への窒化物半導体LED作製技術の開発
  • 2013/08 - 10th International Conference on Nitride Semiconductors Best Poster Award
  • 2011/06 - 日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞
  • 2009 - 日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会 発表奨励賞
所属学会 (2件)：
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会
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