西中浩之

Nishinaka Hiroyuki

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (2件)：電子デバイス、電子機器 , 結晶工学

研究キーワード (4件)：酸化物薄膜 , CVD , エピタキシャル成長 , 結晶成長

競争的資金等の研究課題 (8件)：

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論文 (86件)：

Gen Yasui, Hiroki Miyake, Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka. Heteroepitaxial Growth of NiO Thin Films on (-201) β-Ga2O3 by Mist Chemical Vapor Deposition. physica status solidi (b). 2024
Hiroyuki Nishinaka, Yuki Kajita, Shoma Hosaka, Hiroki Miyake. Composition Analysis of β-(In x Ga 1- x ) 2 O 3 Thin Films Coherently Grown on (010) β-Ga 2 O 3 via Mist CVD. Science and Technology of Advanced Materials. 2024
Kazuki SHIMAZOE, Temma Ogawa, Hiroyuki NISHINAKA. Growth of water-insoluble rutile GeO2 thin films on (001) TiO2 substrates with graded Ge x Sn1-x O2 buffer layers. Applied Physics Express. 2024
Kazuki Shimazoe, Shunsuke Kurosawa, Hiroki Tanaka, Takushi Takata, Hiroyuki Nishinaka. Tolerance of Corundum-Structured Tin-Doped Indium Oxide Thin Films to Gamma-ray Irradiation. physica status solidi (b). 2024
Masahiro Kaneko, Hiroki Miyake, Hiroyuki Nishinaka. Demonstration of β-(Alx Ga1-x )2O3/β-Ga2O3 superlattice growth by mist chemical vapor deposition. Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers. 2024. 63. 9

MISC (16件)：

特許 (76件)：

講演・口頭発表等 (84件)：

ワイドバンドギャップ半導体の点欠陥の定量
(第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演 2024)
貧溶媒アシスト結晶化法によるCs-Cu-I系のマイクロロッド単結晶成長と物性評価
(応用物理学会関西支部2024年度第1回講演会 2024)
ミストデポジション法によるCs-Cu-I系発光材料の薄膜形成と物性評価
(応用物理学会関西支部2024年度第1回講演会 2024)
Atmospheric Mist CVD Growth of C Doped HfO Thin Films Exhibiting CeRAM Switching
(応用物理学会関西支部2024年度第1回講演会 2024)
モット転移を用いたCeRAMに向けたミストCVDによるNiO薄膜形成と電流電圧特性評価
(応用物理学会関西支部2024年度第1回講演会 2024)

学位 (1件)：

経歴 (5件)：

受賞 (6件)：

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所属学会 (4件)：

IEEE , 日本材料学会 , 応用物理学会 , American Chemical Society

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西中 浩之