研究者
J-GLOBAL ID：201901017156653727   更新日: 2024年11月21日

池田 晃裕

イケダ アキヒロ | Ikeda Akihiro
所属機関・部署：
崇城大学 情報学部情報学科

崇城大学 情報学部情報学科 について


職名： 教授
研究分野 (1件)： 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (2件)： 4H-SiC ,  レーザードーピング
競争的資金等の研究課題 (13件)：
  • 2017 - 2020 液中レーザドーピングにおけるSiC表面温度のその場計測と不純物プロファイル制御
  • 2016 - 2018 機能性酸化物の触媒効果を利用した炭化シリコンの低温酸化
  • 2014 - 2017 ドーピング時の発光測定を用いたSiCへのウエットケミカルレーザドープの機構解明
  • 2013 - 2016 ウェットレーザプロセッシングにおける超高速ドーピング機構の研究
  • 2011 - 2014 味覚・嗅覚・視覚融合バイオセンサシステム
全件表示
論文 (53件)：
もっと見る
MISC (30件)：
もっと見る
特許 (6件)：
もっと見る
講演・口頭発表等 (20件)：
  • Low-temperature, high-concentration laser doping of 4H-SiC for low contact resistance
    (SPIE Photonics West 2019)
  • Development of Al thin-film-source laser doping for low resistance contacts to 4H-SiC
    (The 3rd Asian Applied Physics Conference 2018)
  • Formation of Low Resistance Contacts to p-type 4H-SiC by Using Laser Doping with Al Thin-Film Dopant Source
    (31th International Microprocesses and Nanotechnology conference (MNC 2018) 2018)
  • Increasing Laser-Doping Depth of Al in 4H-SiC by Using Expanded-Pulse Excimer Laser
    (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 2018)
  • High-concentration, Room Temperature, and Low-cost Excimer Laser Doping for 4H-SiC Power Device Fabrication
    (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 2018)
もっと見る
学歴 (3件)：
  • 1996 - 1999 九州大学 システム情報科学研究科 電子デバイス工学専攻,博士後期課程
  • 1994 - 1996 九州大学 システム情報科学研究科 電子デバイス工学専攻 修士課程
  • 1990 - 1994 九州大学 工学部 電子工学科
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (九州大学)
経歴 (3件)：
  • 2018/04 - 現在 崇城大学 情報学部 情報学科 准教授
  • 2007/04 - 2018/03 九州大学 システム情報科学研究院 助教
  • 1999/04 - 2007/03 九州大学 システム情報科学研究院 助手
所属学会 (2件)：
応用物理学会 ,  電子情報通信学会
※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM