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研究者
J-GLOBAL ID:202001012110400203   更新日: 2024年11月05日

岩谷 素顕

イワヤ モトアキ | Iwaya Motoaki
クリップ
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (3件): 薄膜、表面界面物性 ,  光工学、光量子科学 ,  結晶工学
研究キーワード (7件): 紫外半導体レーザ ,  紫外発光素子 ,  光センサ ,  太陽電池 ,  Laser diode ,  LED ,  窒化物半導体
競争的資金等の研究課題 (16件):
  • 2023 - 2028 ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却
  • 2023 - 2026 ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却
  • 2022 - 2025 遠紫外線C波AlGaN系電子線励起レーザ
  • 2017 - 2022 強誘電体・常誘電体積層光導波路を用いた量子計算システムの開発
  • 2016 - 2021 多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明
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論文 (449件):
  • Soma Inaba, Weifang Lu, Ayaka Shima, Naoto Fukami, Yuta Hattori, Kai Huang, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama. GaInN hexagonal nanopyramid-based structures with coaxial multiple-quantum shells for red-light micro-LEDs. Applied Surface Science. 2025
  • Yuta Hattori, Weifang Lu, Soma Inaba, Ayaka Shima, Shiori Ii, Mizuki Takahashi, Yuki Yamanaka, Kosei Kubota, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, et al. Optimization of the Al Composition of the p-AlGaN Electron Blocking Layer in GaInN/GaN Multiquantum-Shell Nanowire LEDs. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2024
  • Ruka Watanabe, Kenta Kobayashi, Mitsuki Yanagawa, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Toshihiro Kamei. Over 20% wall plug efficiency of on-wafer GaN-based vertical-cavity surface-emitting laser. Applied Physics Letters. 2024. 124. 13
  • Tatsunari Saito, Naoki Hasegawa, Yoshinobu Suehiro, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Motoaki Iwaya. Characteristics of Stacked GaInN-Based Red, Green, and Blue Full-Color Monolithic μLED Arrays Connected via Tunnel Junctions. physica status solidi (a). 2024
  • Tomoaki Kachi, Hayata Takahata, Ryunosuke Oka, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Yoshiki Saito, Koji Okuno. Effect of Growth Temperature on Strain during Growth and Crack Suppression in AlGaN Templates on Sapphire Substrates for Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes. Physica Status Solidi (B) Basic Research. 2024
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MISC (88件):
  • 薮谷歩武, 大森智也, 山田和輝, 長谷川亮太, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典, et al. 高反射率誘電体多層膜反射鏡適用によるAlGaN系UV-Bレーザダイオードの特性改善. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 薮谷歩武, 長谷川亮太, 近藤涼輔, 松原衣里, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典, et al. AlGaN系UV-B半導体レーザーの作製とそのデバイス特性. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2022. 122. 271(ED2022 24-48)
  • 薮谷歩武, 長谷川亮太, 近藤涼輔, 松原衣里, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典, et al. AlGaN系UV-Bレーザダイオード用誘電体多層膜反射鏡. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
  • Konrad Sakowski, Kazuki Yamada, Kosuke Sato, Pawel Kempisty, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Pawel Strak, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski. Estimating efficiency of AlGaN light-emitting diodes with numerical simulations. 日本結晶成長学会誌. 2020. 47. 3. 47-3-05:1-47-3-05:9
  • 清木良麻, 澁谷弘樹, 今井康彦, 隅谷和嗣, 木村滋, 岩瀬航平, 宮嶋孝夫, 上山智, 今井大地, 竹内哲也, et al. X線マイクロビームを用いた窒化物系単一ナノワイヤ上Ga1-xInxN/GaN量子井戸の構造評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 64th
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特許 (229件):
学歴 (3件):
  • 2000 - 2003 名城大学大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻博士課程
  • 1998 - 2000 名城大学 大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻
  • 1994 - 1998 名城大学 理工学部 電気電子工学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (名城大学)
経歴 (3件):
  • 2020/04 - 現在 名城大学 理工学部 教授
  • 2007/04 - 2020/03 名城大学 理工学部 准教授
  • 2003/04 - 2007/03 名城大学 理工学部 講師
委員歴 (6件):
  • 2022/04 - 現在 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 幹事長
  • 2022/04 - 現在 日本結晶成長学会 理事
  • 2021/04 - 現在 日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会 運営委員
  • 2021/04 - 2023/03 一般社団法人ワイドギャップ半導体学会 特別事業主査
  • 2016/04 - 2021/03 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 特別事業幹事
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受賞 (6件):
  • 2024/03 - 応用物理学会 応用物理学会優秀論文賞、AlGaN-based UV-B laser diode with a wavelength of 290 nm on 1 μm periodic concavo-convex pattern AlN on a sapphire substrate
  • 2022/04 - IOP 2021 JSAP Outstanding Reviewer Awards
  • 2021/09 - 日本結晶成長学会 第36回(2021年度)日本結晶成長学会論文賞:
  • 2021/09 - 応用物理学会 応用物理学会論文賞 Room-temperature operation of AlGaN ultraviolet-B laser diode at 298 nm on lattice-relaxed Al0.6Ga0.4N/AlN/sapphire
  • 2017/09 - 応用物理学会 応用物理学会論文賞 Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with n-type conducting AlInN/GaN distributed Bragg reflectors
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所属学会 (2件):
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

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