メモリデバイス

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人SBPJ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-157277
公開番号（公開出願番号）：特開2022-056399
出願日： 2021年09月27日
公開日（公表日）： 2022年04月08日
要約：

【課題】動作信頼性を向上できるメモリデバイスを提供する。【解決手段】メモリデバイスは、複数の第1メモリセルを含む第1領域と、複数の第2メモリセルを含む第2領域とを含むセルアレイと、複数の第1メモリセルの各々に接続された複数の第1ワード線と、複数の第2メモリセルの各々に接続された複数の第2ワード線と、複数の第1メモリセルと複数の第2メモリセルとに共通に接続された第1ビット線と、データの読み出し動作時において、ロウアドレスに応じて、複数の第1ワード線のいずれかと、複数の第2ワード線のいずれかとを並行して選択するロウデコーダと、第1領域と第2領域との間に設けられ、データの読み出し動作時において第1ビット線に電気的に接続されるセンスアンプとを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複数の第1メモリセルを含む第1領域と、複数の第2メモリセルを含む第2領域とを含むセルアレイと、前記複数の第1メモリセルの各々に接続された複数の第1ワード線と、前記複数の第2メモリセルの各々に接続された複数の第2ワード線と、前記複数の第1メモリセルと前記複数の第2メモリセルとに共通に接続された第1ビット線と、データの読み出し動作時において、ロウアドレスに応じて、前記複数の第1ワード線のいずれかと、前記複数の第2ワード線のいずれかとを並行して選択するロウデコーダと、前記第1領域と前記第2領域との間に設けられ、前記データの読み出し動作時において前記第1ビット線に電気的に接続されるセンスアンプとを具備するメモリデバイス。

IPC (3件)：

G11C 11/16 , G11C 7/14 , G11C 13/00

FI (4件)：

G11C11/16 230 , G11C7/14 , G11C13/00 400A , G11C13/00 400G

引用特許：

出願人引用 (1件)

プロセッサシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-053661 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (9件)

マルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-061852 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
RRAMおよびRRAMに対して情報を格納し検索する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2016-506313 出願人：マイクロンテクノロジー,インク.
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-178120 出願人：松下電器産業株式会社

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