古田守

フルタマモル | Furuta Mamoru

所属機関・部署：
職名：主任教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：

高知工科大学総合研究所所長

ホームページURL (1件)： http://www.env.kochi-tech.ac.jp/m-furuta/

研究分野 (4件)：電気電子材料工学 , 電子デバイス、電子機器 , 薄膜、表面界面物性 , 無機材料、物性

研究キーワード (7件)：酸化物半導体 , 薄膜プロセス , 薄膜トランジスタ , デバイスシミュレーション , ディスプレイ , センサー , 微細加工およびプロセス

競争的資金等の研究課題 (9件)：

2022 - 2025 水素による透明金属酸化インジウムの半導体転移と固相結晶化フレキシブルトランジスタ
2016 - 2019 フレキシブル透明回路を実装した三層積層式色分離型イメージセンサの創成
2014 - 2017 多元系酸化物の格子欠陥のメカニズム解明
2011 - 2014 酸化亜鉛透明トランジスタと積層式色分離型光電変換素子からなる光デバイスの創成
2010 - 2011 新しい透明スイッチング素子の開発

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論文 (153件)：

Prashant R. Ghediya, Yusaku Magari, Hikaru Sadahira, Takashi Endo, Mamoru Furuta, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Hiromichi Ohta. Reliable Operation in High-Mobility Indium Oxide Thin Film Transistors. Small Methods. 2024
Xiaoqian Wang, Yusaku Magari, Furuta Mamoru. Nucleation and grain growth in low-temperature rapid solid-phase crystallization of hydrogen-doped indium oxide. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
Naoki Okamoto, Xiaoqian Wang, Kotaro Morita, Yuto Kato, Mir Mutakabbir Alom, Yusaku Magari, Furuta Mamoru. Uniformity and Reliability of Enhancement-mode Polycrystalline Indium Oxide Thin Film Transistors formed by Solid-phase Crystallization. IEEE Electron Device Letters. 2024
Yusaku Magari, Taiki Kataoka, Wenchang Yeh, Mamoru Furuta. High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3:H) thin-film transistors. Nature Communications. 2022. 13. 1
Yusaku Magari, Wenchang Yeh, Toshiaki Ina, Mamoru Furuta. Influence of Grain Boundary Scattering on the Field-Effect Mobility of Solid-Phase Crystallized Hydrogenated Polycrystalline In2O3 (In2O3:H). Nanomaterials. 2022. 12. 17. 2958-2958

MISC (144件)：

曲勇作, 葉文昌, 古田守. 酸化物半導体の低温形成技術とフレキシブルデバイス応用 (電子材料研究会フレキシブル素子応用に向けた新規薄膜電子材料の合成と評価). 電気学会研究会資料. EFM. 2021. 2021. 1. 13-16
S. G.Mehadi Aman, Daichi Koretomo, Yusaku Magari, Mamoru Furuta. Effect of Deposition Temperature and Source Gas Chemistry in PE-CVD SiO2 Passivation on InGaZnO TFTs. AM-FPD 2018 - 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings. 2018
曲勇作, 牧野久雄, 橋本慎輔, 濵田賢一朗, 増田健太郎, 古田守. InGaZnOX/AgOx酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用-Origin of Schottky properties in InGaZnOx/AgOx hetero-interface and its application to flexible device-シリコン材料・デバイス. 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2018. 118. 1. 33-36
Mamoru Furuta, Yvonne Krieg, Gengo Tatsuoka, S. G.Mehadi Aman, Yuya Hirota, Norbert Frühauf. Low-temperature (150 °C) processed self-aligned InGaZnO hybrid thin-film transistor with an organic gate insulator. 23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016. 2018. 4. 2169-2170
川原村敏幸, DANG Giang T., LIU Li, PRADEEP E.K.C., 龍田宗孝, 古田守, 須和祐太, 佐藤翔太, 中曽根義晃, 山沖駿友, et al. 時間的・空間的隔たり産み出すミスト流を用いた新反応制御技術の開発. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 64th

特許 (168件)：

書籍 (4件)：

酸化亜鉛の最先端技術と将来
2011
薄膜トランジスタ
コロナ社 2008
薄膜ハンドブック
オーム社 2008
低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発-システムオンパネルをめざして
シーエムシー出版 2007

講演・口頭発表等 (12件)：

High Mobility Hydrogenated Polycrystalline In-Ga-O (IGO:H) Thin-Film Transistors formed by Solid Phase Crystallization
(Society for Information Display (2021) 2021)
Heterojunction Channel Engineering for Oxide Thin-Film Transistors
(The 6th International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE2020) 2020)
Heterojunction Channel Engineering for in-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors
(Electrochemical Socierty (ECS PRiME2020) 2020)
TFTs for Active Matrix: from Silicon to Oxides and New materials
(3rd International Conference on Consumer Electronics and Device (ICCED 2019) 2019)
Carrier transport and bias stress stability of IGZO TFT with heterojunction channel
(7th International Conference on Semiconductor Technology for ULSI and TFTs 2019)

学歴 (4件)：

2002 - 2003 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士後期課程短期修了
1986 - 1988 電気通信大学通信工学専攻修了
1984 - 1986 電気通信大学通信工学科編入学
1979 - 1984 大阪府立工業高等専門学校電気工学科

学位 (1件)：

博士(工学) (奈良先端科学技術大学院大学)

経歴 (9件)：

2020/04 - 現在高知工科大学総合研究所ナノテクノロジー研究センターセンター長
2018/08 - 現在高知工科大学環境理工学群主任教授
2023/04 - 高知工科大学総合研究所所長
2011/01 - 2018/07 高知工科大学環境理工学群教授
2008/04 - 2010/12 高知工科大学ナノデバイス研究所准教授

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委員歴 (10件)：

2024/04 - 現在 IEEE Transaction on Electron Devices編集委員
2019/04 - 現在 Materials (MDPI) 編集委員
2018/01 - 現在 International Thin-Film Transistor Conference プログラム委員
2016/04 - 現在応用物理学会 APEX/JJAP編集委員
2014/04 - 現在 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) プログラム委員

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受賞 (8件)：

2021/03 - Society for Information Display (SID) Special Recognition Award
2018/03 - 応用物理学会 APEX/JJAP編集貢献賞
2016/12 - International Display Workshops (IDW ’16) Outstanding Poster Award Low-temperature Processed Self-Alighned InGaZnO Hybrid Thin-Film Transistor with an Organic Gate Insulator
2013/12 - International Display Workshops (IDW ’13) Outstanding Poster Award High mobility atmospheric pressure processed IGZO TFT with AlOx/IGZO stack fabricated by mist-CVD
2013/07 - Semiconductor Technology for ULSI and TFTs IV (2013) Overall Poster Award High mobility IGZO TFT fabricated by solution-based non-vacuum mist-CVD

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所属学会 (5件)：

Society for Information Display , IEEE ELECTRON DEVICE SOCIETY , THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY , 日本MRS , 応用物理学会

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