研究者
J-GLOBAL ID:200901029863117077   更新日: 2020年06月08日

福田 幸夫

フクダ ユキオ | Fukuda Yukio
研究分野 (2件): 光工学、光量子科学 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (2件): 回折光学 ,  Ge-MIS界面の物性と評価
競争的資金等の研究課題 (1件):
  • 2005 - 高品質絶縁膜/Ge界面の低温形成技術に関する研究
論文 (72件):
もっと見る
MISC (28件):
  • 鹿糖洋介, 小野俊郎, 福田幸夫, 岡本浩. MCTS評価並びに解析手法の検討とGe基板中にECRプラズマプロセスによって導入された欠陥の評価. 情報処理学会東北支部研究報告. 2017. Vol.2016. No.6 A1-3. 1-8
  • Hiroshi Okamoto, Daichi Yamada, Hidefumi Narita, Yohei Otani, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, Yukio Fukuda. Effect of postdeposition treatments on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate by radical-enhanced atomic layer deposition. Extended abstract of 9th International Workshop on New group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration". 2016. I-04-7-I-04-8
  • 成田 英史, 山田 大地, 福田 幸夫, 鹿糠 洋介, 岡本 浩. Radical-Enhanced ALD 法によって形成したAlジャーマネイト/Ge 界面とその近傍の欠陥評価. 電子通信情報学会技術報告(IEICE Technical Report). 2015. 115. 179. 67-70
  • Tomoya Yokohira, Kosei Yanachi, Daichi Yamada, Chiaya Yamamoto, Byeonghaku Yoo, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, Toshiyuki Takamatsu, Hiroshi Okamoto, Yukio Fukuda. Role of low-energy ion irradiation in the formation of aluminum germanate layer on germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition. Proceedings of The 13th International Symposium on Sputtering and Plasma Process. 2015. 90-93
  • 簗池昴生, 横平知也, 山田大地, 王谷洋平, 柳ビョンハク, 関渓太, 佐藤哲也, 福田幸夫. RE-ALD形成Al2O3/GeO2/p-Geの電気的特性に及ぼす熱処理と酸素ラジカル照射の効果. 応用物理学会第20回ゲートスタック研究会特別報告書. 2015. 193-196
もっと見る
書籍 (1件):
  • Properties of Gallium Arsenide (2nd edition)
    The Institute of Electrical Engineering 1990
講演・口頭発表等 (79件):
  • REALD形成Al2O3/GeO2/p-GeMOSキャパシターの電気的特性に及ぼすゲート電極金属の影響
    (第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016)
  • Effects of gate-electrode metals and postdeposition treatments on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate by radical-enhanced atomic layer deposition
    (ALD 2016 Ireland 2016)
  • ラジカル援用原子層堆積法で形成したAl2O3/GeO2/p-Ge構造上のゲート電極金属が電気的特性に及ぼす影響
    (応用物理学会 北陸・信越支部 第3回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム 2016)
  • Radical-enhanced ALD法によるGe-MIS構造の欠陥評価(2): 熱処理効果
    (第63回応用物理学会春季学術講演会 2016)
  • Effects of postdeposition treatments on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate by radical-enhanced atomic layer deposition
    (9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2016)
もっと見る
学位 (1件):
  • 工学博士 (東北大学)
経歴 (4件):
  • 2003/04 - 諏訪東京理科大学
  • 2001/07 - 2003/03 東京エレクトロン(株)技術開発センター
  • 1991/03 - 2001/06 日本テキサスインスツルメンツ(株) ULSI開発センター、筑波R&Dセンター
  • 1977/04 - 1991/02 NTT電気通信研究所
委員歴 (6件):
  • 2001/01 - 2002/12 応用物理学会 応用物理学会論文賞選考委員会委員
  • 2000/04/01 - 2002/03/31 Japanese Journal of Applied Physics 学会誌及び論文誌の編集者
  • 2000/11 - 2001/10 電気学会 誘電体薄膜材料調査専門委員会委員
  • 1998/04 - 2000/03 応用物理学会 講演会薄膜・表面分科代表世話人及び講演会企画運営委員
  • 1996/04 - 2000/03 応用物理学会 講演会薄膜・表面分科世話人
全件表示
受賞 (1件):
  • 1985/06/05 - 全国発明表彰 朝日新聞発明賞
所属学会 (3件):
電気学会 ,  応用物理学会 ,  Japanese Journal of Applied Physics
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る