文献

J-GLOBAL ID：201502218710323211   整理番号：15A1103737

Radical-Enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価

Evaluation of interface and near-interface traps in Al-germanate/Ge structure fabricated by Radical-Enhanced ALD

著者 (5件)： 成田英史 (弘前大) ,  山田大地 (諏訪東京理大) ,  福田幸夫 (諏訪東京理大) ,  鹿糠洋介 (弘前大) ,  岡本浩 (弘前大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 179(CPM2015 31-45)  ページ： 67-70  発行年： 2015年08月03日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代のC-MOSデバイスの候補としてGe-MIS構造が注目されているが,界面の品質向上が課題とされている。われわれはこれまでECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマ法やRadical-Enhanced ALD(atomic layer deposition)法(RE-ALD法)と成膜後の熱処理によって界面準位密度の低いMIS構造が作製できることを報告してきた。本報告では,RE-ALD法によって形成し,熱処理を行っていないAl₂O₃/(Alジャーマネイト)/Ge試料についてコンダクタンス法評価とDLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)法評価を行った結果を述べる。成膜後に熱処理を行わない場合でも低い界面準位密度が得られていることが確認された。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体 ,  *MIS構造 ,  化学蒸着 ,  ゲルマニウム ,  熱処理 ,  ゲルマニウム酸塩 ,  界面 ,  欠陥 ,  解析 ,  深準位過渡分光法 ,  *表面準位 ,  状態密度
準シソーラス用語： *次世代CMOS ,  ALD【蒸着】 ,  欠陥解析

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (10件)：

• H. Matsubara, T. Sasada, M. Takenaka, and S. Takagi, "Evidence of low interface trap density in GeO₂/Ge metal-oxide-semiconductor structures fabricated by thermal oxidation", Appl. Phys. Lett., vol.93, 0321043, 2008.
• C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi, "Ge/GeO₂ Interface Control with High-Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics", Appl. Phys. Express, vol.2, 071404, 2009.
• Y. Fukuda, Y. Yazaki, Y. Otani, T. Sato, H. Toyota, and T. Ono, "Low-Temperature Formation of High-Quality GeO₂ Interlayer for High-k Gate Dielectrics/Ge by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Techniques", IEEE Trans. Electron Devices, vol.57, no.1, pp.282-287, 2010.
• Y. Fukuda, H. Okamoto, T. Iwasaki, Y. Otani, and T. Ono, "Surface passivation of p-type Ge substrate with high-quality GeN_x layer formed by electron-cyclotron-resonance plasma nitridation at low temperature", Appl. Phys. Lett., Vol.99, p.132907, 2011.
• Y. Fukuda, H. Ishizaki, Y. Otani, C. Yamamoto, J. Yamanaka, T. Sato, T. Takamatsu, H. Okamoto, and H. Narita, "Spontaneous formation of aluminum germanate on Ge(100) by atomic layer deposition with trimethylaluminum and microwave-generated atomic oxygen", Appl. Phys. Lett., vol.102, 132904, 2013.

タイトルに関連する用語 (7件)： ALD ,  Al ,  Ge ,  界面 ,  近傍 ,  欠陥 ,  評価