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J-GLOBAL ID：201302259495481849   整理番号：13A1826588

ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価

DLTS Evaluation of Near-Interface Traps in Ge-MIS Structures Fabricated by ECR-Plasma Techniques

著者 (7件)： 岡本浩 (弘前大学) ,  成田英史 (弘前大学) ,  佐藤真哉 (弘前大学) ,  岩崎拓郎 (弘前大学) ,  小野俊郎 (諏訪東京理科大学) ,  王谷洋平 (諏訪東京理科大学) ,  福田幸夫 (諏訪東京理科大学)
資料名： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 133  号： 8  ページ： 1481-1484 (J-STAGE)  発行年： 2013年 
JST資料番号： S0810A  ISSN： 0385-4221  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)法を用いてECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマ法GeN_x/Ge構造の界面近傍に存在する欠陥とその熱処理による低減効果を評価した。バイアス電圧依存性評価によって各種熱処理条件試料におけるDLTS信号の起源を推定するとともに,成膜後の熱処理によって,GeN_x/Ge構造の界面近傍の欠陥を大幅に低減できることを明らかにした。

シソーラス用語： *深準位過渡分光法 ,  *素子構造 ,  *ECRプラズマ ,  スパッタリング ,  熱処理 ,  *プラズマ
準シソーラス用語： *Ge-MIS構造 ,  ECRスパッタリング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (15件)：

• MATSUBARA, H. Evidence of low interface trap density in GeO_2/Ge metal-oxide-semiconductor structures fabricated by thermal oxidation. Appl. Phys. Lett. 2008, 93
• LEE, C. H. Ge/GeO_2 Interface Control with High-Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics. Appl. Phys. Express. 2009, 2
• FUKUDA, Y. Low-Temperature Formation of High-Quality GeO_2 Interlayer for High-k Gate Dielectrics/Ge by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Techniques. IEEE Trans. Electron Devices. 2010, 57, 282-287
• WANG, S. J. Thermal stability and band alignments for Ge_3N_4 dielectrics on Ge. Appl. Phys. Lett. 2006, 89
• MAEDA, T. Role of germanium nitride interfacial layers in HfO_2/germanium nitride/germanium metal-insulator-semiconductor structures. Appl. Phys. Lett. 2007, 90

タイトルに関連する用語 (6件)： ECRプラズマ ,  作製 ,  界面近傍 ,  トラップ ,  DLTS ,  評価