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文献
J-GLOBAL ID:201302259495481849   整理番号:13A1826588

ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価

DLTS Evaluation of Near-Interface Traps in Ge-MIS Structures Fabricated by ECR-Plasma Techniques
著者 (7件):
資料名:
巻: 133  号:ページ: 1481-1484 (J-STAGE)  発行年: 2013年 
JST資料番号: S0810A  ISSN: 0385-4221  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)法を用いてECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマ法GeNx/Ge構造の界面近傍に存在する欠陥とその熱処理による低減効果を評価した。バイアス電圧依存性評価によって各種熱処理条件試料におけるDLTS信号の起源を推定するとともに,成膜後の熱処理によって,GeNx/Ge構造の界面近傍の欠陥を大幅に低減できることを明らかにした。
シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
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固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (15件):

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