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J-GLOBAL ID：201302204479478766   整理番号：13A1826605

ECRプラズマ法によって作製したp型並びにn型GeN_x/Ge構造のコンダクタンス法による界面準位密度評価

Interface-State-Density Evaluation of p-type and n-type Ge/GeN_x Structures by Conductance Technique

著者 (5件)： 岩崎拓郎 (弘前大学) ,  小野俊郎 (弘前大学) ,  王谷洋平 (諏訪東京理科大学) ,  福田幸夫 (諏訪東京理科大学) ,  岡本浩 (弘前大学)
資料名： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 133  号： 7  ページ： 1279-1284 (J-STAGE)  発行年： 2013年 
JST資料番号： S0810A  ISSN： 0385-4221  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ECRプラズマ法によって作製したp型並びにn型GeN_x/Ge構造における界面準位密度のコンダクタンス法による評価について報告した。筆者らは,これまで,ECRプラズマ法によって界面準位密度の低いGeN_x/Ge構造が得られること,および室温下におけるGe-MIS構造の界面準位密度も反転領域の特性解析によって評価できることを報告してきた。本稿では,ECRプラズマ法によって作製したp型並びにn型GeN_x/Ge構造について,界面準位密度を低温におけるコンダクタンス法,および室温における反転領域のコンダクタンス評価手法によって評価し,界面準位密度の熱処理温度依存性を調査した。GeN_x/Ge構造の界面特性の評価に成功し,一連の評価から得られた知見を提示した。

シソーラス用語： コンダクタンス ,  ゲルマニウム ,  *表面準位 ,  *ECRプラズマ ,  温度依存性
準シソーラス用語： Ge ,  *界面準位

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

引用文献 (17件)：

• CHUI, C. O. A sub-400°C germanium MOSFET technology with high-k dielectric and metal gate. IEDM Tech. Dig., 2002. 2002, 437-440
• SHANG, H. Electrical characterization of germanium p-channel MOSFETs. IEEE Electron Devices. 2003, 24, 4, 242-244
• RITENOUR, A. Epitaxial strained germanium p-MOSFETs with HfO_2 gate dielectrics and TaN gate electrode. IEDM Tech. Dig., 2003. 2003, 433-436
• YU, D. S. Al_2O_3-Ge-on-insulator n- and p-MOSFETs with fully NiSi and NiGe dual gates. IEEE Electron Devices. 2004, 25, 3, 138-140
• BAI, W. P. Ge n-MOSFETs on lightly doped substrates with high-k dielectric and TaN gate. IEEE Electron Devices. 2006, 27, 3, 175-178

タイトルに関連する用語 (6件)： ECRプラズマ ,  作製 ,  Ge ,  コンダクタンス ,  界面準位密度 ,  評価