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J-GLOBAL ID：201102265878750199   整理番号：11A1123489

低k絶縁材料としての適用のための窒化炭素薄膜の液相堆積

Liquid Phase Deposition of Carbon Nitride Films for Application as Low-k Insulating Materials

著者 (4件)： HIGASHI Mikiteru (Tokai Univ., Kumamoto, JPN) ,  KIYOTA Hideo (Tokai Univ., Kumamoto, JPN) ,  KUROSU Tateki (Tokai Univ., Kanagawa, JPN) ,  CHIBA Masafumi (Tokai Univ., Shizuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 6,Issue 1  ページ： 061502.1-061502.5  発行年： 2011年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アクリロニトリルに浸したSi基板に直流バイアス電圧を印加してCNx薄膜を液相堆積を使って作った。 X線光電子スペクトルはC,N,そして,Oが堆積薄膜の主要な成分であることを明らかにした。C 1s とN 1s スペクトルの解析から,CNx薄膜での主要な結合状態は,C≡Nと部分的に水素化したC=N結合の混合物に帰された。堆積薄膜の電気特性を評価するためにCNx絶縁層を取り入れた金属-絶縁体-半導体コンデンサを作った。CNx薄膜の最も低い誘電率kは,累積静電容量と薄膜の厚みから,2.6と決定し,液相堆積で形成したCNx薄膜が超大規模統合多層配線に用いる有望な低k材料であることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭素化合物 ,  *窒化物 ,  *絶縁材料 ,  誘電率 ,  X線光電子スペクトル ,  薄膜 ,  C-N結合 ,  水素化 ,  部分 ,  静電容量 ,  *絶縁体 ,  窒化炭素

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (19件)：

• 1) K. Maex, M. R. Baklanov, D. Shamiryan, F. Iacopi, S. H. Brongersma, and Z. S. Yanovitskaya: J. Appl. Phys. 93 (2003) 8793.
• 2) H. Aoki, T. Masuzumi, M. Hara, D. Watanabe, C. Kimura, and T. Sugino: Thin Solid Films 518 (2010) 2102.
• 3) S. Tokuyama, M. Hara, M. K. Mazumder, D. Watanabe, C. Kimura, H. Aoki, and T. Sugino: Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 2492.
• 4) Z. L. Wang, J. J. Li, Z. H. Sun, Y. L. Li, Q. Luo, C. Z. Gu, and Z. Cui: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 133118.
• 5) A. Grill and V. Patel: J. Appl. Phys. 104 (2008) 024113.

タイトルに関連する用語 (5件)： 絶縁材料 ,  窒化 ,  炭素薄膜 ,  液相 ,  堆積