特許
J-GLOBAL ID：201403003115960673
窒化物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-067993
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192419
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：
【課題】 環境負荷の小さい基板を使用しつつ、希土類元素の導入量を増やすことなく高輝度化を可能にする窒化物半導体発光素子を提供するとともに、その製造方法をも提供する。【解決手段】 希土類元素とMgとが添加された窒化物半導体を発光層3に備える窒化物半導体発光素子において、発光層による発光波長に対して透明な基板1と、基板に形成された発光層よりも上面側に積層される第1の誘電体多層ミラー5と、基板の裏面に積層された第2の誘電体多層ミラー6とを備える。製造方法は、基板の表面に、n型層、発光層およびp型層を順次結晶成長させ、p型層の上面に第1の誘電体多層ミラーを、基板の裏面に第2の誘電体多層ミラーを成膜する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
希土類元素とMgとが添加された窒化物半導体を発光層に備える窒化物半導体発光素子において、
前記発光層による発光波長に対して透明な基板と、該基板に形成された前記発光層よりも上面側に積層される第1の誘電体多層ミラーと、前記基板の裏面に積層された第2の誘電体多層ミラーとを備え、前記第1および第2の誘電体多層ミラーによって長共振器長構造を形成してなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01S 5/183
, H01S 5/323
, C09K 11/00
, C09K 11/55
H01S5/183
, H01S5/323 610
, C09K11/00 Z
, C09K11/55
4H001CA02
, 4H001XA07
, 4H001XA31
, 4H001YA59
, 4H001YA60
, 4H001YA62
, 4H001YA63
, 4H001YA65
, 4H001YA66
, 4H001YA68
, 4H001YA69
, 5F173AC04
, 5F173AC14
, 5F173AF13
, 5F173AH22
, 5F173AJ35
, 5F173AL03
, 5F173AL12
, 5F173AL13
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AR03
, 5F173AR23
