特許
J-GLOBAL ID：201403063221510035
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-067937
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192411
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：
【課題】 p型層を除去することなくn側電極を形成することにより、プレーナ型の電構造を有する発光素子と、その製造方法を提供する。【解決手段】 半導体発光素子は、p型層4の表面からn型層2に到達する範囲に不純物をイオン注入してなる領域をn型化して形成されたn型化形成領域6と、n型化形成領域に接合されたn側電極7とを備える。製造方法は、チャネリング条件下において不純物をイオン注入する工程と、非チャネリング条件下におけるイオン注入またはノックオン現象による不純物を供給する工程と、イオンが注入された領域をアニールする工程と、n型化された領域の表面にn側電極を接続する工程とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型層の上面に発光層およびp型層が積層されてなる半導体発光素子において、前記p型層の表面から前記n型層に到達する範囲に不純物をイオン注入してなる領域をn型化して形成されたn型化形成領域と、このn型化形成領域に接合されたn側電極とを備えることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 100
, H01L33/00 400
5F141AA21
, 5F141AA42
, 5F141CA40
, 5F141CA65
, 5F141CA66
, 5F141CA71
, 5F141CA73
, 5F141CA74
, 5F141CA75
, 5F141CB16
, 5F142BA32
, 5F142CA11
, 5F142CB18
, 5F142CD02
