窒化物半導体及びその製造方法、並びに、窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 石田悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-129449
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199502
出願日： 2011年06月09日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：

【課題】希土類元素が添加された窒化物半導体における4f内殻電子のエネルギー遷移による発光効率を高めることが可能な窒化物半導体を提供すること。【解決手段】窒化物半導体発光素子11は、基板13と、バッファ層15と、Siが添加された窒化物半導体層16(クラッド層)と、不純物としてEu及びMgが添加された窒化物半導体層17(発光層)と、Mgが添加された窒化物半導体層19(クラッド層)と、を備えている。窒化物半導体層17の形成は、たとえば、窒化物半導体層16上に、NH3を窒素源として用いたMBE法によりEu及びMgが添加されたGaNを成長させることにより行う。窒化物半導体層17におけるMgの濃度は、たとえば3×1018cm-3である。窒化物半導体層17におけるEuの濃度は、たとえば2×1020cm-3である。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

希土類元素と少なくともMgとが添加されていることを特徴とする窒化物半導体。

IPC (2件)：

H01L 33/32 , C09K 11/08

FI (2件)：

H01L33/00 186 , C09K11/08 Z

Fターム (17件)：

4H001XA07 , 4H001XA12 , 4H001XA13 , 4H001XA31 , 4H001XA49 , 4H001YA12 , 4H001YA63 , 5F041CA40 , 5F041CA50 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F141CA40 , 5F141CA50 , 5F141CA57 , 5F141CA65 , 5F141CA66

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-016637 出願人：松下電器産業株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-097677 出願人：シャープ株式会社
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-292559 出願人：昭和電工株式会社, 独立行政法人物質・材料研究機構

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