特許
J-GLOBAL ID：201203083891385378

窒化物半導体及びその製造方法、並びに、窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
若原 昭浩

若原 昭浩 について

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岡田 浩

岡田 浩 について

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関口 寛人

関口 寛人 について

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高木 康文

高木 康文 について


出願人/特許権者：
国立大学法人豊橋技術科学大学

国立大学法人豊橋技術科学大学 について

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浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-129449
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199502
出願日： 2011年06月09日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：
【課題】希土類元素が添加された窒化物半導体における4f内殻電子のエネルギー遷移による発光効率を高めることが可能な窒化物半導体を提供すること。【解決手段】窒化物半導体発光素子11は、基板13と、バッファ層15と、Siが添加された窒化物半導体層16(クラッド層)と、不純物としてEu及びMgが添加された窒化物半導体層17(発光層)と、Mgが添加された窒化物半導体層19(クラッド層)と、を備えている。窒化物半導体層17の形成は、たとえば、窒化物半導体層16上に、NH3を窒素源として用いたMBE法によりEu及びMgが添加されたGaNを成長させることにより行う。窒化物半導体層17におけるMgの濃度は、たとえば3×1018cm-3である。窒化物半導体層17におけるEuの濃度は、たとえば2×1020cm-3である。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
希土類元素と少なくともMgとが添加されていることを特徴とする窒化物半導体。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ,  C09K 11/08
FI (2件)：
H01L33/00 186 ,  C09K11/08 Z
Fターム (17件)：
4H001XA07 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  4H001YA12 ,  4H001YA63 ,  5F041CA40 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F141CA40 ,  5F141CA50 ,  5F141CA57 ,  5F141CA65 ,  5F141CA66
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (12件)
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