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J-GLOBAL ID：200902117410101188   整理番号：01A0094434

原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術

Hydrogen-free and Damage-free Nitridation of Si Substrate Using Atomic Nitrogen Radicals.

著者 (2件)： 藤崎芳久 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  石原宏 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 100  号： 373(SDM2000 142-147)  ページ： 21-26  発行年： 2000年10月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： イオンダメージを無視し得るレベルまで抑制したN<sub>2<...

シソーラス用語： 超LSI ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• 石原宏. 応用物理. 2000, 69, 1090
• MOSLEHI, M. M. IEEE Trans. Electron Devices. 1985, ED-32, 106
• CAPLAN, P. J. J. Appl. Phys. 1979, 50, 5847
• MCLEAN, F. B. IEEE Trans. Nucl. Sci. 1980, NS-27, 1651
• WANG, X. W. Proc. Solid State Dev. Mat. 1994. 1994, 856

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子 ,  窒素 ,  Si基板 ,  ダメージ ,  低温 ,  窒化