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J-GLOBAL ID：200902125557351956   整理番号：97A0852692

高純度オゾンによるシリコン酸化膜の作製と評価

Fabrication of silicon dioxide thin film with high purity ozone and its characterization by XPS and SHG.

著者 (5件)： 一村信吾 (電総研) ,  中村健 (電総研) ,  黒河明 (電総研) ,  野中秀彦 (電総研) ,  村上寛 (電総研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 97  号： 220(CPM97 52-60)  ページ： 13-18  発行年： 1997年08月04日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高純度のオゾンを供給できるオゾンビーム発生装置を用いて,極薄...

シソーラス用語： オゾン ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (6件)：

• HOSOKAWA, S. Rev. Sci. Instrum. 1991, 62, 1614
• ICHIMURA, S. J. Vac. Sci. Technol. A. 1991, 9, 2369
• KUROKAWA, A. Appl. Surf. Sci. 1996, 100, 101, 436
• KUROKAWA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, L1606
• NAKAMURA, K. Surf. Interf. Anal. 1997, 25, 88

タイトルに関連する用語 (5件)： 高純度 ,  オゾン ,  シリコン酸化膜 ,  作製 ,  評価