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J-GLOBAL ID：200902137086638298   整理番号：97A0823506

インジウム-すず酸化物のdc反応性マグネトロンスパッタリングにおけるプラズマパラメータと膜特性との関係

Relation between Plasma Parameters and Film Properties in DC Reactive Magnetron Sputtering of Indium-Tin-Oxide.

著者 (5件)： MATSUDA Y (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  YAMORI Y (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  MUTA M (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  OHGUSHI S (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  FUJIYAMA H (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 7B  ページ： 4922-4927  発行年： 1997年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ar/O₂中でインジウム-すず酸化物(...

シソーラス用語： 酸化スズ ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (15件)：

• 1) S. Berg, H. O. Blom, M. Moradi, C. Nender and T. Larsson: J. Vac. Sci. Technol. A7 (1989) 1225
• 2) T. Matsuoka, J. Kawata, Y. Fujiya and A. Abe: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) L1199.
• 3) T. Ishida, H. Kobayashi and Y. Nakano: J. Appl. Phys. 73 (1993) 4344
• 4) G. Mahon Rao and S. Mohan: J. Appl. Phys. 69 (1991) 6652
• 5) Y. Matsuda, T. Kido, K. Ano and H. Fujiyama: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 4469

タイトルに関連する用語 (6件)： インジウム ,  すず酸化物 ,  DC ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  プラズマパラメータ ,  膜特性