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J-GLOBAL ID：200902151364691327   整理番号：02A0779951

直接酸化によるnmオーダの極薄膜を絶縁膜とするGaAs-MISFETとInAlAs/InGaAs-MISHEMTの試作

Enhancement and Accumulation Mode Operation of GaAs MISFETs And InAlAs/InGaAs MISHEMTs with nm-Thin Gate Oxide Layers.

著者 (5件)： 奈須野雅明 (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  中村一樹 (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  山村要一 (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  飯山宏一 (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  高宮三郎 (金沢大 大学院自然科学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 102  号： 294(ED2002 185-197)  ページ： 17-22  発行年： 2002年08月30日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： UV&オゾン処理により形成した,nmオーダの酸化膜をゲート絶...

シソーラス用語： *MISFET ,...
準シソーラス用語： ひ化アルミニウムインジウム ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (5件)：

• PASSLACK, M. Advancingmetal-oxide-semiconductor, theory : Steady-statenonequilibriumconditions. J. Appl. Phys. 1997, 81, 11, 7647-7661
• REN, F. Demonstration of enhancement-modep- and n-channel GaAs MOSFETs with Ga2O3 (Gd2O3) as gate oxide. Solid-StateElectronics. 1997, 41, 11, 1751-1753
• HOUNG, M. P. Qualityoptimization of liquid phase deposition SiO_2 films on gallium arsenide. Solid-StateElectronics. 2000, 44, 1917-1923
• XIE, Y. G. A novelInGaAs/InAlAsinsulated gate pseudomorphic HEMT with a silicon interface controllayer showing high, DC- and RF-performance. IEEE Electron Device Lett. 2001, 22, 7, 312-314
• SUGIURA, T. A Preliminary study of MIS diodes with nm-thin GaAs-oxide-layers. Sokid-StateElectronics. 1999, 43, 1571-1576

タイトルに関連する用語 (9件)： 酸化 ,  オーダ ,  極薄膜 ,  絶縁膜 ,  GaAs ,  MISFET ,  InAlAs ,  InGaAs ,  試作