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J-GLOBAL ID：200902151496739175   整理番号：02A0191162

CH₄/H₂/ArおよびO₂の周期的注入による,InPの電子サイクロトロン共鳴反応性イオンビームエッチング

Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Beam Etching of InP by Cyclic Injection of CH₄/H₂/Ar and O₂.

著者 (5件)： SUZUKI T (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  HANEJI N (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  TADA K (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SHIMOGAKI Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANO Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 1  ページ： 15-19  発行年： 2002年01月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体光デバイスや集積回路(PIC)の製造に用いられる標記エ...

シソーラス用語： *RIE【エッチング】 ,...
準シソーラス用語： アッシンク

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

物質索引 (1件)： メタン

引用文献 (6件)：

• 1) J. E. Schramm, D. I. Babic, E. L. Hu, J. E. Bowers and J. L. Merz: J. Vac. Sci. & Technol. B 15 (1997) 2031.
• 2) H. Hatate, M. Hashimoto, H. Shirakawa, Y. Fujiwara, Y. Takeda, H. Nakano, T. Tatsuta and O. Tsuji: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 7172.
• 3) Y. Yuan, T. Brock, P. Bhattacharya, C. Caneau and R. Bhat: IEEE Photonics Technol. Lett. 9 (1997) 881.
• 4) M. Yuda, S. Kondo, Y. Noguchi and K. Kishi: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 4624.
• 5) M. Nakano, S. Oku, T. Tamamura, K. Yasui and H. Masuda: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 1052.

タイトルに関連する用語 (7件)： H2 ,  Ar ,  O2 ,  注入 ,  InP ,  電子サイクロトロン共鳴 ,  反応性イオンビームエッチング