文献

J-GLOBAL ID：200902159119384827   整理番号：98A0406277

n-(001)Si上の単一配向(002)Hf膜の作製条件の研究

A Study on the Preparation Conditions of Single Oriented (002) Hf Film on n-(001) Si.

著者 (4件)： SHINKAI S (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  YANAGISAWA H (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  SASAKI K (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  ABE Y (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 2  ページ： 643-648  発行年： 1998年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタリングパラメータを変えることにより標記薄膜の作製条件...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： XTEM

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分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (19件)：

• 1) S. Zaima and Y. Yasuda: Oyo Buturi 63 (1994) 1093 [in Japanese].
• 2) T. Zheleva, K. Jagannadham and J. Narayan: J. Appl. Phys. 75 (1994) 860
• 3) A. Zur and T. C. McGill: J. Appl. Phys. 55 (1984) 378
• 4) S. Zaima, N. Wakai, T. Yamauchi and Y. Yasuda: J. Appl. Phys. 74 (1993) 6703
• 5) L. J. Chen, I. W. Wu, J. J. Chu and C. W. Nieh: J. Appl. Phys. 63 (1988) 2778

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  配向 ,  HF ,  作製条件 ,  研究