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J-GLOBAL ID：200902163560082345   整理番号：98A0261456

3C-SiC中の電子捕獲中心におけるキャリア放出と捕獲の過程の研究

Study of Carrier Emission and Capture Processes at Electron Traps in 3C-SiC.

著者 (6件)： ICHIMURA M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KOGA Y (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ABE T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ARAI E (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  YAMADA N (Toyota Central Res. and Dev. Lab. Inc., Aichi, JPN) ,  TOKUDA Y (Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 1A/B  ページ： L18-L20  発行年： 1998年01月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(001)基板上に化学蒸着によって成長させたn型3C-S...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： キャリア放出

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分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (12件)：

• 1) Properties of Silicon Carbide, ed. G. L. Harris (INSPEC, IEE, London, 1995) Chap. 9.
• 2) P. Zhou, M. G. Spencer, G. L. Harris and K. Fekade: Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 1384
• 3) V. Nagesh, J. W. Farmer, R. F. Davis and H. S. Kong: Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 1138
• 4) K. Zekentes, M. Kayiambaki and G. Constantinidis: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 3015
• 5) S. E. Saddow, M. Lang, T. Dalibor, G. Pensl and P. G. Neudeck: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 3612

タイトルに関連する用語 (6件)： 3C-SiC ,  電子捕獲 ,  キャリア放出 ,  捕獲 ,  過程 ,  研究