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J-GLOBAL ID：200902166968193276   整理番号：00A0057095

有機金属気相エピタクシーによって成長させた歪制御AlN薄層における結晶品質の残留歪依存性

Dependence of Crystal Quality on Residual Strain in Strain-Controlled Thin AlN Layer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.

著者 (6件)： ISHIHARA Y (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO J (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  KURIMOTO M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  TAKANO T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HONDA T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWANISHI H (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 11B  ページ： L1296-L1298  発行年： 1999年11月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN/AlNバッファ層を持つ(0001)6H-SiC基板上...

シソーラス用語： *MOCVD ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (11件)：

• KAWANISHI, H. Proc.SPIE. 1997, 2994, 52
• OHBA, Y. Jpn.J.Appl.Phys. 1996, 35, L1013
• TAKEUCHI, T. J.Cryst.Growth. 1998, 189/190, 616
• HONDA, T. J.Cryst.Growth. 1998, 189/190, 644
• PONCE, F. A. Appl.Phys.Lett. 1995, 67, 410

タイトルに関連する用語 (8件)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  歪制御 ,  AlN ,  薄層 ,  結晶品質 ,  残留 ,  歪依存性