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J-GLOBAL ID：200902184713179103   整理番号：00A0751726

n-(001)Si上の単一配向(002)Zr薄膜の作製条件に関する研究

Study on Preparation Conditions of Single-Oriented (002) Zr Thin Films on n-(001) Si.

著者 (4件)： YANAGISAWA H (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  SASAKI K (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  MIYAKE H (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  ABE Y (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 7A  ページ： 4110-4114  発行年： 2000年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高真空dcマグネトロンスパッタリング装置を用いて,蒸着中の...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (18件)：

• 1) S. Zaima and Y. Yasuda: Oyo Buturi 63 (1994) 1093 [in Japanese].
• 2) T. Yamauchi, S. Zaima, K. Mizuno, Y. Koide and Y. Yasuda: J. Appl. Phys. 69 (1991) 7050.
• 3) S. Shinkai, H. Yanagisawa, K. Sasaki and Y. Abe: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 643.
• 4) A. Zur and T. C. McGill: J. Appl. Phys. 55 (1984) 378.
• 5) A. Zalar, S. Hofmann, P. Panjan and V. Kra\\vsevec: Thin Solid Films 220 (1992) 191.

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  配向 ,  Zr ,  薄膜 ,  作製条件 ,  研究