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J-GLOBAL ID：200902187453527888   整理番号：02A0687187

スパッタAlN膜の結晶配向と残留応力に及ぼすスパッタリングガス圧力及び窒素濃度の効果

Effect of sputtering gas pressure and nitrogen concentration on crystal orientation and residual stress in sputtered AlN films.

著者 (4件)： KUSAKA K (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  TANIGUCHI D (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  HANABUSA T (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  TOMINAGA K (Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 66  号： 3/4  ページ： 441-446  発行年： 2002年08月19日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタAlN膜における結晶配向及び残留応力をX線回折により...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...

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分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタ ,  AlN ,  結晶配向 ,  残留応力 ,  スパッタリング ,  ガス圧力 ,  窒素濃度