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J-GLOBAL ID：200902203980724140   整理番号：04A0103239

PLDにより製膜したHf酸化物の界面評価

Characterization of HfO₂/Si interface deposited by PLD

著者 (5件)： 金島岳 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  寒川雅之 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  池田幸司 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  吉田真人 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  奥山雅則 (大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 103  号： 533(SDM2003 179-195)  ページ： 51-56  発行年： 2003年12月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代High-kゲート絶縁膜材料として期待されているHfO...

シソーラス用語： *絶縁膜 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性

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分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (17件)：

• KINGON, A. I. Nature (London). 2000, 406, 1032
• MANCHANDA, L. Tech. Dig. IEDM2000. 2000, 23
• QI, W. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 1704
• WILK, G. D. J. Appl. Phys. 2000, 87, 484
• WILK, G. D. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2854

タイトルに関連する用語 (6件)： PLD ,  製膜 ,  HF ,  酸化物 ,  界面 ,  評価