文献

J-GLOBAL ID：200902208234921659   整理番号：09A0334323

横に成長したフィルムを使った多結晶Si TFTの特性変化に関する研究

Investigation on Characteristic Variation of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor Using Laterally Grown Film

著者 (3件)： AKIYAMA Koji (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  WATANABE Kazunori (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ASANO Tanemasa (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 3,Issue 3  ページ： 03B014.1-03B014.5  発行年： 2009年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ・スキャンによって準備した横に成長した多結晶シリコン(ボリ-Si)上に作った薄膜トランジスタ(TFT)の特性変化を研究した。いろいろなチャンネル・デザインのTFTを,作り,研究した:n-とp-チャンネルを有するTFT,結晶粒成長方向に対してチャンネルが平行または直角に設定したTFT,そして,チャンネルが単一チャンネルまたは複数ストライプから成るTFT。カレント・ドライブの変化が閾値電圧の変化でなく,主にキャリヤ移動度の変化によることが分かった。キャリヤ移動度の変化が,平行整列TFTより直行整列TFTでより大きいことがわかった。さらに,p-チャンネルTFTよりnチャネルTFTより大きいことが分かった。複数ストライプのTFTの研究から,特性変化が総チャンネル幅に依存することが分かった。温度に依存するキャリヤ移動度から,結晶粒境界での電位バリア高を評価した。評価はnチャネルTFTの電位バリア高13.2meV,そして,p-チャンネルTFTの電位バリア高7.18meVを与えた。ゲート電圧を増やすことで電位バリア高が減少することがわかった 。実験結果は,結晶粒境界での電位バリアの減少に伴って ポリ-Si TFTの特性変化が減少することを示した。実際,電位バリアが水素プラスマ処置によって減少したTFTが特性変化減少を示すことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  多結晶 ,  *特性 ,  *変化 ,  結晶粒 ,  成長 ,  キャリア移動度 ,  ポテンシャル障壁

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (22件)：

• J. F. Gibbons and K. F. Lee: IEEE Electron Device Lett.1(1980)117.
• J. P. Coling and E. Demoulin: IEEE Electron Device Lett.2(1981)250.
• C. H. Oh, M. Ozawa, and M. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys.37(1998) L492.
• Y. Taniguchi, T. Endo, K. Azuma, M. Matsumura, and H. Ishiwara: Jpn. J. Appl. Phys.47(2008)947.
• A. Hara, K. Yoshino, F. Takeuchi, and N. Sasaki: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003)23.

タイトルに関連する用語 (5件)： 成長 ,  フィルム ,  多結晶Si ,  TFT ,  研究