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J-GLOBAL ID：200902216113797244   整理番号：09A0459288

材料あれこれ〔半導体〕Traveling Liquidus-Zone(TLZ)法により成長するバルクInGaAsの単結晶化初期状態の観察

著者 (6件)： 金子将士 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  木下恭一 (宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部) ,  末益崇 (筑波大 大学院数理物質科学研究科) ,  小田原修 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  依田眞一 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  依田眞一 (宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部)
資料名： 日本マイクログラビティ応用学会誌  (JASMA)
巻： 26  号： 2  ページ： 95-99  発行年： 2009年04月30日 
JST資料番号： L2202A  ISSN： 0915-3616  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： TLZ法に見られる独自な単結晶化について,その要因を特定することを目的として,原料GaAsと同じ方位のInGaAs単結晶の成長初期の状態を再現し,観察した。二つの急冷実験から得られた試料に関して,電子プローブマイクロ分析(EPMA)による組成分析及び電子後方散乱パターン(EBSP)による結晶方位分析を行った。その結果,原料GaAsとBNるつぼ壁面の隙間にInGaAs<110>単結晶が確認された。これが,TLZ法における単結晶下の要因であると結論した。さらに,TLZ法により得られる単結晶が,原料方位を引き継いで成長する過程を考察した

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *結晶成長 ,  単結晶 ,  ヒ化ガリウム ,  結晶方位 ,  *後方散乱 ,  壁面 ,  電子プローブX線分析 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 初期状態 ,  組成分析 ,  *電子後方散乱

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (6件)：

• ISHIKAWA, H. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 712
• KINOSHITA, K. J. Cryst. Growth. 2001, 225, 59
• KINOSHITA, K. J. Cryst. Growth. 2002, 237-239, 1859
• NAKAMURA, H. J. Cryst. Growth. 2003, 258, 49
• ARAI, M. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2007, 13, 1295

タイトルに関連する用語 (7件)： 法 ,  成長 ,  バルク ,  InGaAs ,  単結晶化 ,  初期状態 ,  観察