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J-GLOBAL ID:200902217529681462   整理番号:07A0139319

イオン注入による4H-SiCエピタキシャル層におけるトラップの減少とキャリヤ寿命の改善

Reduction of traps and improvement of carrier lifetime in 4H-SiC epilayers by ion implantation
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著者 (2件):
資料名:
巻: 90  号:ページ: 062116-062116-3  発行年: 2007年02月05日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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この論文では,4H-SiCエピタキシャル膜に炭素あるいはシリ...
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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