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J-GLOBAL ID：200902219513226539   整理番号：08A0557513

次世代のローk相互配線を目的としたメチル化された窒化ホウ素薄膜の特性

Properties of Methyl Boron Nitride Film for Next Generation Low-κ Interconnection

著者 (7件)： TOKUYAMA Shinji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HARA Makoto (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MAZUMDER Motaharu Kabir (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WATANABE Daisuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KIMURA Chiharu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  AOKI Hidemitsu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUGINO Takashi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 4 Issue 2  ページ： 2492-2495  発行年： 2008年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大規模集積回路における相互配線用絶縁体を目的とした低誘電定数材料が,高速の素子の速やかな開発には必要である。誘電体にナノ細孔を導入すると,誘電定数kは大幅に低下するが,薄膜の強度(Young率)も著しく低下する。多層配線を安定に集積するには,新しい低誘電定数を持つ材料の開発が重要である。本稿では,トリス(ジメチルアミノ)ホウ素ガス(TMAB)を用いたメチル(メチル化BN)を含む窒化ホウ素から成るローk材料の特性を研究した。本稿は,TMABを用いて堆積したメチル化された窒化ホウ素薄膜の特性に関する最初の報告である。kが2.1以下で,Young率が26GPa以上のローk材料を巧く作製することができた。更に,この薄膜はCF₄ガスを用いて容易にエッチングすることが可能である。ローk材料としてのメチル化窒化ホウ素薄膜は,次世代のノード技術素子に容易に応用できるものと考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *配線 ,  *窒化ホウ素 ,  *メチル化 ,  *絶縁材料 ,  *誘電体薄膜 ,  有機ホウ素化合物 ,  Young率 ,  エッチング ,  フロン ,  *絶縁体
準シソーラス用語： *相互配線

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： 四ふっ化炭素

引用文献 (10件)：

• A. Grill and V. Patel: Appl. Phys. Lett.79(2001)803.
• L. L. Chapelon, J. Vitiello, D. Neira, J. Torres, J. C. Royer, D. Barbier, F. Naudin, G. Tas, P. Mukundhan, and J. Clerico: Microelectron. Eng.83(2006)2346.
• C. Morant, D. Cáceres, J. M. Sanz, and E. Eliza1de: Diamond Relat. Mater.16(2007)1441.
• K. Watanabe, T. Taniguchi, and H. Kanda: Nat. Mater.3(2004)404.
• K. P. Loh, I. Sakaguchi, M. N. Gamo, S. Tagawa, T. Sugino, and T. Ando: Appl, Phys. Lett.74(1999)28.

タイトルに関連する用語 (5件)： 次世代 ,  相互配線 ,  メチル化 ,  窒化ホウ素 ,  薄膜