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J-GLOBAL ID：200902221502368018   整理番号：03A0767586

W/W₂N/ポリSiゲート電極構造におけるW₂N複合物質障壁の温度安定性

Thermal Stability of W₂N Compound Barrier in W/W₂N/poly-Si Gate Electrode Configuration

著者 (2件)： NOYA A (Kitami Inst. of Technol., Kitami-shi, JPN) ,  TAKEYAMA M B (Kitami Inst. of Technol., Kitami-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E86-C  号： 11  ページ： 2332-2335  発行年： 2003年11月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOS素子の小型化に伴い,RC信号伝送遅れを削減する目的で,...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (10件)：

• TAKAGI, M. T. A noble 0.15 μm CMOS technology using W/WN_x/polysilicon gate electrode and Ti silicide source/drain diffusions. Int. Electron Device Meet. Tech. Dig., San Francisco, 1996. 1996, 445-458
• AKASAKA, Y. Low-resistivity poly-metal gate electrode durable for high-temperature processing. IEEE Trans. Electron Devices. 1996, 43, 11, 1864-1869
• NAKAJIMA, K. Formation mechanism of ultrathin WSiN barrier layer in a W/WN_x/Si system. Appl. Surf. Sci. 1997, 117/118, 312-316
• JUNG, J. W. A fully working 0.14 μm DRAM technology with polymetal (W/WN_x/Poly-Si) gate. Int. Electron Device Meet. Tech. Dig., San Francisco, 2000. 2000, 365-368
• TAKEYAMA, M. Preparation of WN_x films and their diffusion barrier properties in Cu/Si contact systems. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, 4A, 2261-2266

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリSi ,  ゲート電極 ,  物質 ,  障壁 ,  温度安定性