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J-GLOBAL ID：200902225529073970   整理番号：04A0085706

グラファイト表面への水素ラジカル付加反応と続くシランプラズマ化学蒸着における初期表面過程の第一原理分子軌道研究

Ab initio Molecular Orbital Study on Hydrogen Radical Addition Reactions to Graphite Surface and Subsequent Initial Surface Process in Silane Plasma Chemical Vapor Deposition

著者 (5件)： SATO K (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SHINAGAWA E (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  NAKAJIMA K (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAZAKI K (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KOINUMA H (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 12  ページ： 7478-7481  発行年： 2003年12月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HOPG基板表面を前もって水素プラズマで処理すると,続くSi...

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,...
準シソーラス用語： *HOPG

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

引用文献 (17件)：

• 1) M. Matsuse, M. Kawasaki and H. Koinuma: Proc. First World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Waikoloa, Hawaii, 1994, ed. by Dennis J. Flood (IEEE, New York) p.425.
• 2) M. Matsuse, S. Tsuboi, M. Kawasaki, H. Koinuma, M. Eguchi and H. Sakata: Phys. Rev. B 53 (1996) 12585.
• 3) R. Robertson, D. Hills, H. Chatham and A. Gallagher: Appl. Phys. Lett. 43 (1983) 544.
• 4) N. Itabashi, N. Nishiwaki, M. Magane, S. Naito, T. Goto, A. Matsuda, C. Yamada and E. Hirota: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) L505.
• 5) K. Miyazaki, K. Nakajima, K. Sato and H. Koinuma: Thin Solid Films 316 (1998) 134.

タイトルに関連する用語 (10件)： グラファイト ,  水素ラジカル ,  付加反応 ,  シラン ,  プラズマ化学蒸着 ,  初期 ,  過程 ,  第一原理 ,  分子軌道 ,  研究