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J-GLOBAL ID：200902239266366889   整理番号：09A0034083

プラズマ化学蒸発機械加工によるGaNのエッチング特性

Etching characteristics of GaN by plasma chemical vaporization machining

著者 (9件)： NAKAHAMA Yasuji (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  NAKAHAMA Yasuji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KANETSUKI Norio (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  FUNAKI Takeshi (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  KADONO Masaru (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  SANO Yasuhisa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAMURA Kazuya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ENDO Katsuyoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Yuzo (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 40  号： 12  ページ： 1566-1570  発行年： 2008年12月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cl₂/Heプラズマを適用したプラズマ化学蒸発機械加工(CVM)によって仕上げられたGaNのエッチング特性を研究し,高速仕上げの可能性を評価した。除去速度を改善するためには多くのClラジカルを生成する必要があるため,多くのCl₂分子が電極を回転することによってプラズマへ効率的に供給され,小さな電極の近傍で局在プラズマを生成することによってプラズマのパワー密度が増大した。その結果,プラズマCVMによる深さ方向での最大除去速度が9100nm/分となり,これはRIEよりも7倍大きかった。プラズマCVMで使用される電極のサイズを増大させることによって,基体の全表面を仕上げるのに必要な処理時間が大きく低減できた。プラズマCVM中での活性化エネルギーはRIEよりも1.75倍大きかった。これらの結果から,プラズマCVMがRIEよりも少ない表面損傷を引き起こす仕上げ方法で,高性能デバイスの製作のためのGaN基体の適切な仕上げ方法であることが示された。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  ホモエピタクシー ,  プラズマCVD ,  機械工作 ,  *表面仕上 ,  塩素 ,  ヘリウム ,  化合物半導体 ,  表面分析 ,  *RIE【エッチング】 ,  損傷 ,  表面構造 ,  表面温度 ,  表面粗さ ,  活性化エネルギー ,  密度 ,  エネルギー密度 ,  除去 ,  サイズ効果 ,  表面損傷 ,  構造
準シソーラス用語： パワー密度 ,  プラズマ化学蒸発機械加工 ,  反応性イオンエッチング

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  塩  (CD01050V) ,  試料技術  (BA02070O)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ化学 ,  蒸発 ,  機械加工 ,  GaN ,  エッチング特性