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J-GLOBAL ID:200902239266366889   整理番号:09A0034083

プラズマ化学蒸発機械加工によるGaNのエッチング特性

Etching characteristics of GaN by plasma chemical vaporization machining
著者 (9件):
資料名:
巻: 40  号: 12  ページ: 1566-1570  発行年: 2008年12月 
JST資料番号: E0709A  ISSN: 0142-2421  CODEN: SIANDQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Cl2/Heプラズマを適用したプラズマ化学蒸発機械加工(CVM)によって仕上げられたGaNのエッチング特性を研究し,高速仕上げの可能性を評価した。除去速度を改善するためには多くのClラジカルを生成する必要があるため,多くのCl2分子が電極を回転することによってプラズマへ効率的に供給され,小さな電極の近傍で局在プラズマを生成することによってプラズマのパワー密度が増大した。その結果,プラズマCVMによる深さ方向での最大除去速度が9100nm/分となり,これはRIEよりも7倍大きかった。プラズマCVMで使用される電極のサイズを増大させることによって,基体の全表面を仕上げるのに必要な処理時間が大きく低減できた。プラズマCVM中での活性化エネルギーはRIEよりも1.75倍大きかった。これらの結果から,プラズマCVMがRIEよりも少ない表面損傷を引き起こす仕上げ方法で,高性能デバイスの製作のためのGaN基体の適切な仕上げ方法であることが示された。
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分類 (3件):
分類
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固体デバイス製造技術一般  ,  塩  ,  試料技術 
タイトルに関連する用語 (5件):
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