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J-GLOBAL ID：200902248990697411   整理番号：09A1035361

水熱法によるエピタキシャルKNbO₃厚膜の成長と特性評価

Growth of Epitaxial KNbO₃ Thick Films by Hydrothermal Method and Their Characterization

著者 (9件)： ISHIKAWA Mutsuo (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YAZAWA Keisuke (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  FUJISAWA Takashi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YASUI Shintaro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YAMADA Tomoaki (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  HASEGAWA Tomohito (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MORITA Takeshi (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  KUROSAWA Minoru (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 9,Issue 2  ページ： 09KA14.1-09KA14.5  発行年： 2009年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原料にKOHとNb₂O₃を用いた水熱法により240°CでKNbO₃膜を成長させた。膜厚は3hまでは反応時間に従って増加したが,反応時間がより長くなると減少した。(100)_cSrRuO₃∥SrTiO₃基板上に2hで{100}_pc配向の16μm厚エピタキシャル成長KNbO₃膜が成長した。100kHzでの比誘電率及び誘電損失はそれぞれ415及び8%であった。強誘電性に起因する明瞭なヒステリシス曲線が観測されて,最大印加電圧が220kV/cmでの残留分極は20μC/cm²であった。レーザDoppler速度計で得られた実効縦圧電定数d₃₃^effは86pm/Vであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *ニオブ酸カリウム ,  水熱合成 ,  エピタクシー ,  *厚膜 ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  残留分極 ,  縦モード ,  定数 ,  膜厚 ,  電歪 ,  曲線 ,  圧電定数 ,  バタフライ曲線
準シソーラス用語： 比誘電率

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (21件)：

• B. Sundarakannan, K. Kakimoto, and H. Ohsato: J. Appl. Phys.94(2003)5182.
• A. Kingon, M. Ameen, O. Auciello, K. Gifford, H. Al-Shareef, T. Graettinger, S. H. Rou, and P. Hren: Ferroelectrics 116(1991)35.
• M. J. Nystrom and B. W. Wessels: Appl. Phys. Lett.68(1996)761.
• A. Onoe, A. Yoshida, and K. Chikuma: Appl. Phys. Lett.78(2001)49.
• T. Saito, T. Wada, H. Adachi, and I. Kanno: Jpn. J. Appl. Phys.43(2004)6627.

タイトルに関連する用語 (5件)： 水熱法 ,  エピタキシャル ,  厚膜 ,  成長 ,  特性評価