文献

J-GLOBAL ID：200902254308945913   整理番号：08A0975648

ナノ秒オーダーパルス電場下の強誘電体薄膜からの格子歪解析のためのシンクロトロンX線回折法の開発

著者 (8件)： 坂田修身 (高輝度光科学研究セ/SPring-8) ,  坂田修身 (JST-CREST) ,  安井伸太郎 (東京工大 大学院) ,  藤澤隆志 (東京工大 大学院) ,  加茂嵩史 (東京工大 大学院) ,  中嶋誠二 (大阪大 大学院) ,  奥山雅則 (大阪大 大学院) ,  舟窪浩 (東京工大 大学院)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集  (Abstracts. Fall Meeting of the Ceramic Society of Japan)
巻： 21st  ページ： 183  発行年： 2008年09月17日 
JST資料番号： L2240A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ビスマス化合物 ,  鉄酸塩 ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  レーザ蒸着 ,  MOCVD ,  *セラミック膜 ,  エピタクシー ,  *格子歪 ,  シンクロトロン放射 ,  X線回折 ,  係数 ,  定数 ,  *強誘電体
準シソーラス用語： 圧電定数

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノ秒 ,  オーダー ,  パルス電場 ,  強誘電体薄膜 ,  格子歪 ,  解析 ,  シンクロトロンX線回折 ,  開発