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J-GLOBAL ID:200902266967551734   整理番号:06A0935305

レーザ光散乱法によるSiウエハ表面上の極薄酸化膜段差の計測

Observation of Oxide-film Step with Very Small Height on Si Wafer Surface Using a Laser Scattering Method
著者 (8件):
資料名:
巻: 72  号: 11  ページ: 1363-1367  発行年: 2006年11月05日 
JST資料番号: F0268B  ISSN: 1348-8716  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (1件):
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固体デバイス計測・試験・信頼性 

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