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J-GLOBAL ID：200902157085254748   整理番号：02A0621231

光散乱パターンを用いたシリコンウエハ加工表面欠陥のインプロセス計測に関する研究 (第2報) 高速欠陥計測法の提案

Study on In-Process Measurement of Silicon Wafer Surface Defects by Laser Scattered Defect Pattern. 2nd Report. Fast Defect Measurement Method using LSDP.

著者 (4件)： 高橋哲 (大阪大 大学院工学研究科) ,  三好隆志 (大阪大 大学院工学研究科) ,  高谷裕浩 (大阪大 大学院工学研究科) ,  立野泰史 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
巻： 68  号： 7  ページ： 962-966  発行年： 2002年07月05日 
JST資料番号： F0268A  ISSN： 0912-0289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 従来の散乱光量に基づく手法とは異なった新しい測定原理に基づく...

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,...
準シソーラス用語： 欠陥計測 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  長さ,面積,断面,体積,容積,角度の計測法・機器  (AD05020O)

引用文献 (9件)：

• LOCKE, B. R. Particle Sizing Uncertainties in Laser Scanning of Silicon Wafers. J. Electronchem. Soc. 1987, 134, 7, 1763
• HUFF, H. R. Measurement of Silicon Particles by Laser Surface Scanning and Angle-Resolved Light Scattering. J. Electronchem. Soc. 1997, 144, 1, 243
• 秋山伸幸. 精密工学会誌. 1989, 55, 2, 294
• 森勇藏. 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法の開発. 精密工学会誌. 1988, 54, 11, 100
• 井上晴行. レーザ光散乱法によるSiウエハ付着微粒子計測装置の開発. 精密工学会誌. 1997, 63, 8, 1117

タイトルに関連する用語 (8件)： 光散乱 ,  シリコンウエハ ,  表面欠陥 ,  インプロセス計測 ,  研究 ,  欠陥 ,  計測法 ,  提案