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J-GLOBAL ID：200902269000301974   整理番号：08A0520806

強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ

Oxide-channel thin film transistors with ferroelectric and high-k gate insulators

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著者 (4件)： 徳光永輔 (東京工大 精密工研) ,  柴田宏 (東京工大 精密工研) ,  大岩朝洋 (東京工大 精密工研) ,  近藤洋平 (東京工大 精密工研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 2(OME2008 1-20)  ページ： 51-56  発行年： 2008年04月04日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 強誘電体と高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタの電気的特性を報告する。強誘電体や高誘電率材料は,誘起できる電荷量が従来のSiO₂よりも大きいため,比較的低い動作電圧でも大きなオン電流が得られる。さらに強誘電体の場合には不揮発性のメモリ機能も発現される。本研究ではこの大電荷制御という特長を生かして,ゲート絶縁膜には強誘電体(Bi,La)₄Ti₃O₁₂(BLT)および高誘電率材料のBi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇(BZN)を用いて,キャリア濃度の高いインジウム・スズ酸化物(ITO)のチャネルを制御する薄膜トランジスタ(TFT)を報告する。石英基板上に形成するとこれらの素子は透明であり,7桁以上のオンオフ比を持つ良好な電気的特性が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： *絶縁膜 ,  *誘電材料 ,  *薄膜トランジスタ ,  強誘電体 ,  酸化インジウムスズ ,  記憶装置 ,  酸化膜 ,  キャリア移動度 ,  *ゲート絶縁膜 ,  揮発性メモリ ,  チャネル移動度 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： *高誘電率材料 ,  ITO ,  酸化物皮膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強誘電体 ,  高誘電率材料 ,  ゲート絶縁膜 ,  酸化物 ,  チャネル ,  薄膜トランジスタ