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J-GLOBAL ID：200902270988367965   整理番号：08A0942892

強誘電体・高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いたIGZOチャネル薄膜トランジスタの作製と評価

著者 (4件)： 大岩朝洋 (東京工大 精密工研) ,  近藤洋平 (東京工大 精密工研) ,  中田充 (東京工大 精密工研) ,  徳光永輔 (東京工大 精密工研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 2  ページ： 467  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *強誘電体 ,  絶縁膜 ,  酸化物 ,  亜鉛化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  チタン酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  ランタン化合物 ,  ニオブ酸塩 ,  スパッタ蒸着 ,  ゾル-ゲル法 ,  誘電体薄膜 ,  *ゲート絶縁膜 ,  チャネル移動度
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  *高誘電率材料

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 強誘電体 ,  高誘電率材料 ,  ゲート絶縁膜 ,  IGZO ,  チャネル ,  薄膜トランジスタ ,  作製 ,  評価