バンドギャップの広い半導体への多数の原子ドーピングの効率

MIYAZAKI Takehide; YAMASAKI Satoshi

文献

J-GLOBAL ID：200902271369862559 整理番号：05A0679773

バンドギャップの広い半導体への多数の原子ドーピングの効率

Efficiency of multiple atom doping in wide band gap semiconductors

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資料名：
巻： 86 号： 26 ページ： 261910.1-261910.3 発行年： 2005年06月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

バンドギャップの広い半導体は発光ダイオード,レーザーおよび電...

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半導体結晶の電気伝導

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