文献

J-GLOBAL ID：200902274833657229   整理番号：08A0565300

CuとSiOCとの間の拡散障壁とその極めて薄いZrN膜の応用

Application of Extremely Thin ZrN Film as Diffusion Barrier between Cu and SiOC

著者 (4件)： SATO Masaru (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  TAKEYAMA Mayumi B. (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  AOYAGI Eiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NOYA Atsushi (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 1 Issue 2  ページ： 620-624  発行年： 2008年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 45nm技術ノードのCu配線に極めて薄い拡散障壁を応用するため,固相反応および相互混合によって障壁が減少する原因となる界面層がない障壁材料を提案した。CuとSiOCとの間に5nmと薄い反応性スパッタZrN障壁の障壁特性を調べた。少しNリッチの組成のZrN障壁は500°C,30分のアニーリングに耐えた。透過型電子顕微鏡法により,障壁の隣に界面層は存在しないことを示した。このZrN障壁を使って,高性能の極めて薄い障壁に対して,界面層がない特性の有効性を実証できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化物 ,  *ジルコニウム化合物 ,  銅 ,  炭化物 ,  酸化物 ,  ケイ素化合物 ,  *拡散障壁 ,  相互接続 ,  相互拡散 ,  固相反応 ,  超薄膜 ,  *反応性スパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  熱処理 ,  透過型電子顕微鏡 ,  界面 ,  *配線

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), 2006 Update (http://www.itrs.net/Links/2006Update/2006UpdateFinal.htm).
• K.-W. Kwon, H.-J. Lee, and R. Sinclair: Appl. Phys. Lett.75(1999)935.
• R. Hübner, M. Hecker, N. Mattern, V. Hoffmann, K. Wetzig, Ch. Wenger, H.-J. Engelmann, Ch. Wenzel, E. Zschech, and J. W. Bartha: Thin Solid Films 437(2003)248.
• Z. L. Yuan, D. H. Zhang, C. Y. Li, K. Prasad, C. M. Tan, and L. J. Tang: Thin Solid Films 434(2003)126.
• H. Yanagisawa and K. Sasaki: Jpn. J. Appl. Phys.39(2000)5987.

タイトルに関連する用語 (3件)： Cu ,  拡散障壁 ,  応用