文献

J-GLOBAL ID：200902275621933494   整理番号：09A0334313

積み重ねたGe/Si/SiO₂構造の固相結晶化へのSi層厚みの効果

Effects of Si Layer Thickness on Solid-Phase Crystallization of Stacked Ge/Si/SiO₂ Structures

著者 (3件)： SADOH Taizoh (Kyusyu Univ., Fukuoka, JPN) ,  OHTA Hiroki (Kyusyu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Kyusyu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 3,Issue 3  ページ： 03B004.1-03B004.3  発行年： 2009年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質Geフィルム(50nm)の低温(<450°C)固相結晶化への非晶質Si(a-Si)層(厚み:0~20nm)の挿入効果を研究した。極薄(<3nm)非晶質Si層の挿入で,インキュベーション時間は,増加し飽和結晶性はわずかに増加した。他方,厚い(>10nm)非晶質Si層の挿入は,インキュベーション時間はかなり減少し,そして,飽和結晶性は減少した。425°Cで得た結晶粒径は3と20nmの非晶質Si層の挿入でそれぞれ~200nm,と~50nmで,これは,飽和結晶性の結果と一致する。さらに中間厚み(5~7nm)非晶質Si層の挿入で,核形成率と飽和結晶性は,増加した。これらの現象は,界面でのSi濃度プロフィールに基づいて,説明された。このように,大結晶粒多結晶 Geを実現するたのに界面変調は効果的である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  *酸化ケイ素 ,  固相 ,  *結晶化 ,  アモルファスシリコン ,  挿入 ,  核形成 ,  粒径 ,  界面 ,  変調構造

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (17件)：

• T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao: Appl. Phys. Lett.89(2006)192114.
• I. Tsunoda, A. Kenjo, T. Sadoh. and M. Miyao: Appl. Surf. Sci.224(2004)231.
• S. Yamaguchi, N. Sugii, S. K. Park, K. Nakagawa, and M. Miyao: J. Appl. Phys.89(2001)2091.
• M. Miyao, I. Tsunoda, T. Sadoh, and A. Kenjo: Thin Solid Films 383(2001)104.
• H. Watakabe, T. Sameshima, H. Kanno, and M. Miyao: Thin Solid Films 508(2006)315.

タイトルに関連する用語 (7件)： Ge ,  Si ,  SiO2 ,  固相 ,  結晶化 ,  Si層 ,  厚み