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J-GLOBAL ID：200902277426775968   整理番号：04A0447895

ガスソース分子ビームエピタクシーおよびホットワイヤセル法により成長させた歪んだSi_1-yC_y金属酸化物半導体電界効果トランジスタに関するキャラクタリゼーションおよび比較

Characterization and Comparison of Strained Si_1-yC_y Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy and Hot Wire Cell Method

著者 (5件)： WATAHIKI T (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  ISHIHARA H (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  ABE K (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  YAMADA A (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KONAGAI M (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 4B  ページ： 1882-1885  発行年： 2004年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだSi_1-yC<sub>y</su...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： ガスソースMBE ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (11件)：

• 1) K. Rim, J. L. Hoyt and J. F. Gibbons: IEEE Trans. Electron Devices 47 (2000) 1406.
• 2) J. P. Dismukes, J. Ekstrom, E. F. Steigmeier, I. Kudman and D. S. Beers: J. Appl. Phys. 35 (1964) 2899.
• 3) W. Gaschinger, X. Zerlauth and G. Bauer: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3933.
• 4) H. J. Osten and P. Gaworzewski: J. Appl. Phys. 82 (1997) 4977.
• 5) K. Abe, A. Yamada and M. Konagai: J. Cryst. Growth 251 (2003) 681.

タイトルに関連する用語 (5件)： ガスソース分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  キャラクタリゼーション