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J-GLOBAL ID：200902292766038843   整理番号：06A0594123

T字型のゲートダイアモンド金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスターの作成

Fabrication of T-Shaped Gate Diamond Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors

著者 (7件)： HIRAMA Kazuyuki (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Shingo (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  MATSUDAIRA Hiroki (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  UMEZAWA Hitoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  UMEZAWA Hitoshi (NEDO (New Energy and Industrial Technol. Dev. Organization), Kawasaki, JPN) ,  KAWARADA Hiroshi (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWARADA Hiroshi (NEDO (New Energy and Industrial Technol. Dev. Organization), Kawasaki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45  号： 7  ページ： 5681-5684  発行年： 2006年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.2-0.3μmの長さでT字型をしたゲートを持つダイアモン...

シソーラス用語： 半導体 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (13件)：

• B. J. Baliga: IEEE Electron Device Lett.10(1989)455.
• H. Umezawa, K. Tsugawa, S. Yamanaka, D. Takeuchi, H. Okushi and H. Kawarada: Jpn. J. Appl. Phys.38(1999) L1446.
• P. Gluche, A. Aleksov, A. Vescan, W. Ebert and E. Korn: IEEE Electron Device Lett.18(1997)547.
• H. Taniuchi, H. Umezawa, T. Arima, M. Tachiki and H. Kawarada: IEEE Electron Device Lett.22(2001)390.
• H. Ishizaka, H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, N. Fujihara, M. Tachiki and H. Kawarada: Diamond Relat. Mater.11(2002)378.

タイトルに関連する用語 (5件)： T字型 ,  ゲート ,  ダイアモンド ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスター