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J-GLOBAL ID:200902293730862430   整理番号:07A1116380

その場Bドープけい素ナノワイヤ内の電気活性不純物のRaman散乱研究 アニーリング及び酸化の効果

Raman Scattering Studies of Electrically Active Impurities in in Situ B-Doped Silicon Nanowires: Effects of Annealing and Oxidation
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著者 (6件):
資料名:
巻: 111  号: 42  ページ: 15160-15165  発行年: 2007年10月25日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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VLS過程で成長させたBドープけい素ナノワイヤ(SiNWs)...
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長  ,  無機化合物一般及び元素 

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