抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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オゾンの高濃度ガスの利用は半導体プロセス分野で利用されるが,プロセス残留ガスの排ガス処理の問題がある.減圧状態のオゾンの熱分解反応は壁との分子衝突によって起こるが,減圧下ではその頻度が減少し,分解効率は下がる.また,減圧による平均ガス流速が増加し,オゾン排気装置内に滞留する時間も減少する.この反応系の温度を上昇させれば,頻度は指数関数的に上昇するが,装置の材料による制約による加熱温度も上限がある.この問題を解決するため,オゾン分子の紫外分解反応を利用した光反応式のオゾン分解装置(オゾンキラー)を開発し,従来の熱式に比べ,優れた分解特性を持つことが分かった.今回は様々なプロセスに対するオゾンの分解機構を詳細に調べた.紫外線照射量を一定にして,圧力一定下での残留オゾン濃度Rと供給オゾン流量Qとの関係を調べた.RはQの増加と共に増加するが,圧力が高いほど,Rの量は減少する.供給オゾン数が小さいときはほとんど完全にオゾンが除去されることが分かった.